亲们是买的什么牌子的打蛋器呀?

亲们是买的什么牌子的打蛋器呀?,第1张

打蛋器品牌有很多,下面我介绍十款不错的品牌。供你选择。
1飞利浦
荷兰皇家飞利浦电子公司,飞利浦(中国)投资有限公司,家电十大品牌,创立于1891年,世界500强,全球医疗保健、优质生活和照明领域的领导者,世界上最大的电子公司之一。这是我们大家熟知的家电品牌,荷兰大牌,旗下的打蛋器是其家电中的一小部分,有大牌的质量保障,其打蛋器各方面水准都在高端品牌中有一席之地。
2天喜
天喜控股集团有限公司,国家标准起草单位,浙江省专利示范企业,集炊具、厨房电器、铝业、门业、纺机专件、房产及进出口贸易于一体的综合性企业,产品销往全球80多个国家和地区。作为厨房用具的领导品牌,更加专业化的打蛋器生产,使得其产品比其余品牌更具可 *** 作性。
3现代
现代北京力恩瑞博科技有限公司,极具网络影响力的打蛋器品牌,在国内同行业中较有较大的影响力,专业生产各类果蔬清洗机、电炸锅、电蒸锅等生活小家电的企业。
4利仁
北京利仁科技有限责任公司,“守合同,重信用”企业,主要从事民用小家电产品研发、生产与销售的民营企业。小家电的领导品牌,旗下的打蛋器一直受到顾客的欢迎,设计感强且实用,非常不错的一个打蛋器牌子。
5乐扣乐扣
韩国株式会社乐扣乐扣是生产新概念乐扣乐扣保鲜盒的专业企业,乐扣乐扣产品现出口到103多个国家和地区,遍布了10多万个销售网点。拥有韩国保鲜盒市场60%的占有率,是受到韩国绝大多数消费者青睐的保鲜盒产品。乐扣的本是保鲜盒大牌,但是旗下的打蛋器做得也很出色,在销量上也一直的处于前排。
6创迪
广东创迪电器有限公司,具有多年研发、生产及销售电压力锅经验的专业公司,是电压力锅国家标准起草单位和电压力锅专利联盟成员,是国内最具规模的专业生产电压力锅基地之一。专业的压力锅大牌,其打蛋器也做得很出色,值得信赖。
7红心
上海红心器具有限公司,专业从事生活电器的开发、研究与生产的小家电企业,是国内主要的小家电专业开发制造企业之一。也是小家电的代表品牌之一,其打蛋器很具性价比。
8每时乐
香港每时乐国际电器有限公司,成都每时乐电器有限责任公司,小型家用电器行业知名品牌,专业从事小型家用电器开发、生产、营销为一体的企业。香港电器大牌,其打蛋器质量过硬。
9格兰仕
广东格兰仕集团有限公司,全球最大的微波炉专业制造商之一,拥有近5万名员工的跨国白色家电集团,是中国家电业最具影响力的龙头企业之一。微波炉起家的格兰仕掌握着烹饪家电的核心科技,旗下的打蛋器科技感强,创新点多,值得选择。
10ACA
北美电器有限公司,始于1934年美国,全球家电研发与制造行业佼佼者,全球西式生活电器工业文明的代表,全球家电品牌鼻祖。作为家电鼻祖和美国大牌,旗下的打蛋器自然也是众多高端品牌中的佼佼者。

这样的我们通常称为坐式电动打蛋器,功率更大,可以用来揉面,通常为蛋糕房或私房烘焙业主选用。
手持电动打蛋器通常用做打发蛋白、奶油,量少时优势尤其明显。既然是手持,您可以随意调节角度、深浅,盆壁上残留的奶油也可以打到。
那么应该如何选择一款合格的电动打蛋器呢?
1功率
建议选择200W~250W。功率有点类似汽车排量,排量太小有小马拉大车之嫌。
汽车小,排量太大也实属没有必要,费油。
2电机
电机也叫马达是打蛋器的核心部件,直接决定了打蛋器的耐久度。纯铜电机应为第一选择。铜的转子磁感力强 ,熔点高。不纯的大多为铝制, 熔点低、 价格低 。当然作为消费者来说,很难在第一时间了解内部结构。
那么品牌就成为第一手判断标准。小编在某宝选购商品,某宝首页搜索栏下会默认有品牌选项。这些品牌相对来讲知名度较高,销量较高,质量较有保障。
随便选择几个品牌,看看高销量商品下的评论,如果反映同一个问题的人很多,那么大概率这个商品确实存在问题。
市场是检验产品的利器,销量可以刷出来,但口碑不会骗人。
第二个就是价格。您可以这样想,一个电机,一堆齿轮、连接件、风扇、打蛋头,外边还得配一个外壳,最外边还有包装。给您销售还得有客服,甚至还包邮。一个打蛋器卖您20元,商家能赚钱嘛?没有利润哪来的服务!
即便买回来可以用,1个月后报销了。可能你又要后悔当初不如买那个60块的了……
3打蛋头
这个部分是要接触食物的,小编建议一定要选择304不锈钢的。市面上有些打蛋器的芯可能是铸铁,表面电镀处理。时间一长,电镀层磨损,内芯暴露在空气中,容易出现生锈、细菌滋生等各种问题。
打蛋器如何保养呢?
首先要正视一个问题,打蛋器也是消耗品,是有寿命的。
本质来说,打蛋器是马达通过齿轮带动打蛋头旋转的一个工具。有摩擦就会有磨损,电机也会有衰减。日常使用中,注意以下几点,一定会让您的打蛋器用的更久。
1不超符合工作
不要用来打太过黏稠的东西,比如面团、糖浆。电动打蛋器最好用来打发奶油、黄油、奶酪、蛋白等轻质的食物。手持打蛋器是不能和面的,所以不要想偷懒,手揉面包的乐趣还需手掌去感受!
坐式打蛋器可以用来和面。
2 不要超时工作
打发奶油算最大的工作量了,一般也就10分钟左右。电机高速旋转过程中会产生大量的热,时间太长风扇未必能够及时排出。高温会导致电机烧掉。
3及时清理
飞溅的奶油有可能飞到你的围裙上,当然也有可能会飞到打蛋器的排风口上。及时用棉布擦掉,防止进入机器内部。
4齿轮部分添加润滑油
条件允许的情况下,可以拆开看看。打蛋器用的太久,噪音变大,一般是因为齿轮润滑不足。喜欢动手的小伙伴可以拆开补一点,五金店有润滑黄油,非常便宜。
5避免坠落
应该养成良好的习惯,每次使用完,都放到平整的地方,且远离桌边。很多新手在烘焙初期,都会有手忙脚乱的体验。工具放到固定易取的地方,养成习惯,会让整个过程轻松很多。很多烘焙大师的桌面从头至尾都是干净整洁的,及时整理、清洁是一门学问也是水平的体现。

1 2 3 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation BOOMER �0�3 BOOMER �0�3 (V, I) microSMD LLP microSMDxt microArray 4 Boomer s 5 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation : �6�1�6�1 LM489X LM49XX / �6�1�6�1�6�1–– , C B Boomer 6 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation 输出 LM4892 GSM HP LM4897 / �6�1 217 Hz VDD = 5V 8 PSRR 62 dB �6�1 50V 1% THD 1W( ) �6�1 33V 1% THD 400 mW �6�1 01 uA ( ) �6�1 BTL 500 pF �6�1“ / ”�6�1 22 - 55V �6�1�6�1�6�1 5V 3V 217 Hz , PSRR 62 dB ( ) �6�1 5V THD+N = 1% 11W �6�1 3V THD+N = 1% 350 mW( ) �6�1 01 uA �6�1�6�1 / �6�1 BTL 100 pF �6�1 26V - 55V �6�1 SO Boomer �0�3 - 7 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1 LD 3 x 3 mm LQ 2 x 2 mm �6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1 LM4905 Boomer LM4906 Boomer Boomer �0�3 - 1W PSRR “” 8 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 PSSR = 75 dB �6�1 IddQ 17 mA �6�1 24 55V �6�1 5V 8 1% THD 13 W �6�1 36V 8 1% THD 610 mW �6�1 04 mm uSMD (122 x 122 mm) LLP (3 x 3 mm) LM4995 13W Boomer �0�3 - 13W PSRR “ / ” 9 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 5V 8 , 1% THD 1W �6�1 33V , 8 , 1% THD 400 mW �6�1 24 55V �6�1 PSRR: 83 dB �6�1�6�1�6�1 MSOP (MM), microSMD (15 x 15 mm, ITL) LLP (4 x 3 mm LD) LM4898 LM4923LQ �6�1 5V 8 , 1% THD 11W �6�1 33V , 8 , 1% THD 400 mW �6�1 24 55V �6�1 PSRR: 85 dB �6�1�6�1�6�1 2 x 2 mm 8 pin LLP (LQ) �6�1 5V , 4 , 10% THD 25W �6�1 5V , 4 , 1% THD 21W �6�1 5V , 8 , 1% THD 13W �6�1 33V , 8 , 1 %THD 550 mW �6�1 24 55V �6�1 PSRR: 85 dB �6�1 22m Iddq, 01 uA Isd �6�1�6�1�6�1 3 x 3 mm 8 pin LLP(SD) LM4927SD �0�3 - 10 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 PSSR = 95 dB �6�1 IddQ 17 mA �6�1 24 55V �6�1 5V , 8 , 1% THD 125W �6�1 33V , 8 , 1% THD 550 mW �6�1 RF �6�1�6�1�6�1 04 mm uSMD (125 x 125 mm) LM4941 125W Boomer �0�3 - LM4941 11 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 P o (8 ) - 5V: 12W, 36V: 600 mW �6�1 I DDQ - 5V: 26 mA, 36V: 21 mA �6�1 THD+N (P o =100 mW) - 5V: 006%, 36V: 004% �6�1 PSRR (217 Hz): 78 dB �6�1 SD V IL = 04V, V IH = 14V �6�1 D �6�1�6�1�6�1�6�1 04 mm 14 x 14 mm 9-bump micro SMD �6�1 05 mm LLP �6�1 PDA SD 3 x 3 mm TM 137 x 137 mm 04 mm pitch LM4673 Boomer �0�3 265W D 12 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 EMI – RF – FCC CE �6�1–– 13 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 D – ( : 300 kHz) –�6�1 EMI �6�1�6�1 D –�6�1�6�1 14 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 1 FCC B �6�1 FCC �6�1 2 2 1: LM4675 EMI EMI 15 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation 400 mW 8 ohm Vdd=36V 89% 100 mW 8 ohm Vdd=36V 80% 36V 13W 5V 1% THD 650 mW I DDQ - 5V: 28 mA, 36V: 22 mA THD+N (P o =100 mW) - 5V: 003%, 36V: 002% PSRR (217 Hz): 82 dB EMI SD V IL = 04V, V IH = 14V D ( 17 uS) 05 mm 152 x 152 mm 9-bump micro SMD 05 mm 3 x 3 mm LLP PDA SD 3 x 3 mm —6 in LM4675 Boomer �0�3 27W EMI D 16 Boost ed Boomer s 17 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 LM4804SQ: – 8 Ohm , 2% THD, 3V 46V 17W �6�1 LM4805SQ: – 8 Ohm , 2% THD, 3V 46V 10W �6�1 27 46V �6�1 2 uA ( ) �6�1 / �6�1�6�1�6�1 SQ 5 x 5 mm LLP LM4804/05 Boomer �0�3 PTT 3V 17W /1W 18 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 6 mA �6�1 Vdd = 33V, RL = 8 , PV1 = 50V 12W �6�1 001 uA �6�1 76% �6�1 D �6�1 27V - 50V (VDD) �6�1 D �6�1 17 s �6�1 Boost �6�1 16 LLP (3 x 4 mm) LM48510 Boomer �0�3 12W Boost ed D 19 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 VDD = 32V, THD 1% 157 VP-P �6�1 VDD = 5V 7mA IDDQ + �6�1 f = 217 Hz 80 dB ) �6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1 12 uSMD (15 x 2 mm) LM48555 Boomer �0�3 20 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LM4802B �6�1 27 55V �6�1 30O hm + 2 uF BTL �6�1 2 uA( ) �6�1 / �6�1�6�1�6�1 SQ 5 x 5 mm LLP VO1 VO2 Vin2 Bypass S/D2 S/D1 GND Vdd SW FB Vamp GND S/D 20k 200k 82p 0039uF Audio In 022uF 47uF L1 10uH 47uF 133k 732k 47uF 390pF Vdd 150k Vin1 47 47 Ceramic Speaker LM4960 �6�1 30 42V �6�1 (Vamp) 15V �6�1 BTL O/P 10 Vrms 28 Vpp �6�1 16 MHz ( ) �6�1 / �6�1�6�1�6�1 SQ 5 x 5 mm LLP LM4961/62 �6�1 3 - 5V �6�1 (Vamp) 27 - 9V �6�1 15 Vp-p, BTL �6�1––�6�1 / �6�1�6�1�6�1 SQ 5 x 5 mm LLP �6�1 LM4961 microSMD Boost ed Boomer �0�3 21 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation = 27V 90V 1% THD+N, Vdd (Vbat) = 32V 15 Vp-p BTL, R L = 2 mF+30W, f = 1 kHz Iddq, Boosted = 10 mA Iddq, = 3 mA MUX – / LM4962 LM4951 micro SMD -20 (25 x 25) LM4951 micro SMD-9 (15 x 15 mm) – 10 LM4951 LLP-10 (4 x 4 mm) – PDA LM4962TL Boomer �0�3 22 23 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation 5V 33V NS LM4809 20-55V 70mW,01% 28mW, 01% 低 活动的低断电模式 M, MM & LD LM4811 20-55V 70mW,01% 28mW, 01% 高 数字音量控制 MM & LD LM4809 LM4811 Boomer 24 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation NS PSRR @ 217Hz LM4910 22-55V 30mW, 01% 65dB NA 虚地型无输出电容 M & MM LM4911 18-55V 25mW, 01% 65dB 超快的启动功能 , 虚地型无输出电容 MM LM4924 15 ~36V 40mW,1% THD @ 3V, 16Ohm 66dB 虚地型无输出电容 , 15uV( ) MSOP10 LM4925 15 ~36V Stereo SE O/P :40mW,1% THD @ 3V, 16Ohm , Mono BTL O/P : 410mW, 1%THD @3V, 8Ohm 70dB @100Hz SE/BTL 可选输出 MM, LLP LM4929 18 ~ 55V 40mW,1% THD @ 3V, 16Ohm 65dB NA 虚地型无输出电容, 超低噪声 15uV(典型值) MSOP10 LM4980 15 ~33V 42mW, 1% THD @3V 16Ohm 100dB NA , 虚地型 , LLP LM4985 23 ~55V 68mW, 1% THD @3V 16Ohm 77dB NA I2C , 虚地型 , OCL/Cap 耦合可选型 04mm microSMD LM4929 LM4910 LM4911,4924 LM4925 BTL SE LM4980 LM4985 Boomer ( , SE 25 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 23V 55V �6�1 OCL ( ) �6�1 I 2 C �6�1 04 mm micro SMD – (122 x 162 x 06 mm) �6�1 : –76 dB +18 dB �6�1�6�1 LM4985TM Boomer (OCL) (I 2 C 26 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation Charge Pump Digital Volume Control �6�1 P o = 83 mW (V DD = 3V, R L = 16 ) �6�1 PSRR = 67 dB (217 Hz) �6�1 70 dB (1 kHz, ) �6�1 = 16V 42V �6�1 IDD 2 mA ( ) �6�1 16 / �6�1 -33 dB +12 dB �6�1�6�1�6�1 ( / ) �6�1 Non-pullback 16 LLP �6�1 PDA MP3 ! LM4981SQ Boomer �0�3 - 27 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 P o = 80 mW (V DD = 3V, R L = 16 ) �6�1 = 16V 40V �6�1 I 2 C �6�1�6�1 HP �6�1 HP SD �6�1�6�1�6�1�6�1 2 x 2 mm, 16 bump micro SMD �6�1 PDA MP3 ! Charge Pump I2C Control Interface LM4982TL Boomer �0�3 - 28 29 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 5V , 8 , 1% THD 107W x2 �6�1 33V , 8 , 1% THD 400 mWx2 �6�1 22 55V �6�1 217 Hz & 1 KHz PSRR 64 dB �6�1 ( Iq = 02 uA) �6�1 / �6�1�6�1�6�1�6�1 LLP-14 LM4992LD Boomer �0�3 1W PSRR 30 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 5V , 8 , 1 % THD 11W �6�1 33V , 8 , 1% THD 375 mW �6�1 24 55V �6�1 PSRR: 93 dB �6�1 RF �6�1�6�1�6�1 3 x 4 mm 14 LLP (SD 16 bump microSMD Shutdown Ri Ri Rf Rf Shutdown Ri Ri Rf Rf + SD BYP Bias -L Input +L Input -R Input +R Input N E W ! LM4928 Boomer �0�3带 31 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 36V, 100 mW 8 80%( ) �6�1 36V, 400 mW 8 83% ( ) �6�1 5V, 1W 8 83% ( ) �6�1 500 mW 8 Ohm THD 015% ( ) �6�1 ( 10% THD): �6�1 : 05 mS ( ) �6�1 : 6/12/18/24 dB ( ) �6�1 36V 365 mA ( ) �6�1 01 uA ( ) �6�1 24V 55V �6�1 PWM �6�1�6�1�6�1�6�1 / �6�1 2 x 2 mm microSMD �6�1 05 mm LLP LM4674 /SDR /SDL GAIN0 GAIN1 INR+ INL+ INR- INL- OUTRA OUTRB OUTLA OUTLB V DD PV DD GND PGND 24V to 55V LM4926 SHUTDOWN CONTROL GAIN CONTROL 8 Ohm 4 Ohm 290 mW 420 mW 25V 700 mW 11W 36V 16W 24W 5V LM4674 32 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 36V 100 mW 8 85% ( ) �6�1 5V 1W 8 86%( ) �6�1 36V , 4 mA �6�1 Vdd = 5V, RL = 4 , THD 10% , 23W ( ) �6�1 Vdd = 5V, RL = 8 , THD 10% , 15W ( ) �6�1 EMI �6�1�6�1 D �6�1 3D �6�1�6�1�6�1 / �6�1�6�1 4 x 4 mm LLP �6�1 PDA LM48410 Boomer �0�3 3D EMI 23W D 33 34 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 5V, R L = 3 , 1% THD 24W �6�1 5V, R L = 4 , 1% THD 21W �6�1 5V, R L = 8 , 1% THD 11W �6�1 75 mW 32 THD+N 001% �6�1 004 uA �6�1 217 Hz PSRR 85 dB �6�1 20V - 55V �6�1 3D �6�1�6�1 LLP (SQ) LM4888 21W 3D 35 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 33V, R L =8 , 1% THD 500 mW �6�1 33V, R L =32 , 05% THD 25 mW �6�1�6�1 3D �6�1 I 2 C/SPI �6�1 32 (-54 dB +18 dB) �6�1�6�1�6�1 7 LM4846 �6�1 / �6�1�6�1 01 uA �6�1 microSMD LM4845 / LM4846 3D 36 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1�6�1 8Ω MONO+ MONO- R OUT 32Ω Handsfree Speaker AUDIO INPUT AUDIO INPUT 022 μF + C IN 1 Mixer & Output Mode Select I 2 C/SPI Interface 6dB I 2 CSPI_V DD SDA SCL ID_ENB I 2 CSPI_SEL R IN L IN 0dB National 3D L OUT 32Ω 0dB 0dB + 1μF C S V DD Bias 22 μF + C B Bypass L H P 3 D 1 L H P 3 D 2 R H P 3 D 1 R H P 3 D 2 C 3DR C 3DL Volume Control -54dB to +18dB MONO_IN+ MONO_IN- + - Volume Control -54dB to +18dB Volume Control -54dB to +18dB -6dB V OC 022 μF + C IN 2 022 μF + C IN 3 022 μF + C IN 4 LM4946 3D 37 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LM4947 3D D �6�1 1W 5V , R L = 8 1W 80% �6�1 5V , R L = 32 , 1% THD 80 mW �6�1�6�1�6�1 D �6�1 OCL/CC �6�1�6�1 I 2 C �6�1 3D �6�1 32 �6�1 3 (L/R/Mono) �6�1�6�1�6�1 / �6�1�6�1 25 bump �0�8SMD 38 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LM4949 OCL D Mixer & Mode Select Mono Input -59dB - +18dB Left Input -59dB - +18dB Right Input -59dB - +18dB Bias Click/Pop Suppresion I2C Interface 0dB - +6dB -12dB - 0dB -12dB - 0dB I2C BUS V IH V IL 0dB - +6dB C IN C IN C IN C IN C IN C IN C B C S C S C S V DD HPV DD I2CV DD MIN+ MIN- LIN+ LIN- RIN+ RIN- BYPASS I2CVDD SDA SCL ADR GND HPGND VDDHP VOC HPR HPL GNDLS RLS- RLS+ LLS- LLS+ VDDLS VDDLS VDD Audio Input Audio Input Audio Input �6�1 5V, R L = 8 , 1W, 80% �6�1 5V, R L = 32 , 1% THD , 80 mW �6�1�6�1�6�1 D �6�1 OCL/CC �6�1�6�1 I 2 C �6�1 32 �6�1 3 (L/R/Mono) �6�1�6�1�6�1 / �6�1�6�1 25 bump �0�8SMD 39 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 5V, R L = 4 2W, 80% �6�1 5V, R L = 32 , 1% THD 80 mW �6�1 217 Hz PSRR 72 dB �6�1�6�1�6�1 D �6�1 OCL/CC �6�1 I 2 C �6�1 3D �6�1 32 spk HP �6�1�6�1 / �6�1�6�1 28 LLP LM49270 OC 3D D 40 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 18 441 KHz 48 KHz I 2 S DAC �6�1 16 8 KHz PCM �6�1 I 2 C SPI �6�1 PLL �6�1 25 mW/ch �6�1 450 mW/33V 8 D �6�1 32 , 15 dB/ �6�1�6�1�6�1 16 2 dB/ �6�1 GPIO/ �6�1 : 2 uA ( ) �6�1 36 bump microSMD LM4931 Boomer �0�3 PLL D 16 41 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LM4937 Boomer �0�3–––– 42 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LM4937 Boomer �0�3�6�1 P o = 12W (AV DD = 5V, 8 ) �6�1 P o = 80 mW(AV DD = 5V, 32 SE) �6�1 P o = 175 mW(AV DD = 5V, 32 BTL) �6�1 = 16 A �6�1 18 441 kHz 48 kHz I 2 S DAC �6�1 I 2 C/SPI �6�1 4 I 2 C �6�1 / PLL �6�1 PLL 10 - 20 MHz �6�1 OCL SE �6�1 SE �6�1 36 bump micro SMD (32 x 35mm) �6�1 PDA �6�1 32 mm 35 mm A B C D E F 6 5 4 3 2 1 43 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation 3D 3D AB AB AB AB AB AB AB AB I 2 C/SPI / MCLK PLL_OUT PLL PLL_IN V DD /2 , AB I 2 S DAC I2S_CLK I2S_WS I2S_SDI LM4934 Boomer �0�3 44 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 Po = 11W (VDD = 5V, 8W) �6�1 Po = 60W (VDD = 5V, 32W, SE) �6�1 Po = 85 mW(VDD = 5V, 32W, BTL) �6�1 = 1 mA �6�1 18 , 441 kHz 48 kHz I 2 S DAC �6�1 5 tapping FIR �6�1 3D �6�1 I 2 C/SPI �6�1 3 I 2 C �6�1 PLL : PLL 10 - 20 MHz �6�1 OCL �6�1 42 microSMDxt (33 x 38 mm) �6�1 PDA LM4934 �0�3 I 2 S DAC 45 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation I 2 S / PCM 兼容性 AUX_L AB D AB AB AB AB VREF_FLT BG AUX_OUT EP_OUT LS_OUT HPL_OUT HPR_OUT BYPASS HP_VMID CP_OUT CP_IN INT_MIC EXT_MIC INT_BIAS EXT_BIAS AUX_R L E F T R I G H T C P I 侧音 MIC G 7 1 1 数字音频接口 CLK WS SDI SDO VSAR2 VSAR1 D_V DD /2 A_V DD /2 GPIO1 GPIO2 SCL/SCK SDA/SDI TEST_MODE MIC_DET IRQ HP_VMIDFB 寄存器 MCLK PLL_FLT -465dB to 12dB -345dB to 12dB 6dB to 36dB 0dB to -30dB SPI_MODE BB_V DD ADC 时钟和ΣΔ PLL BB_V DD D_V DD 电平移动二极管电源管理与控制 I 2 C/SPI SLAVE DAC SAR ADC 数字增益控制 DC 音量控制放大器集团和检测麦克风偏置和检测 GPIO1 8 LM4671 8 L R VGND 32 32 RF 模块 32 LM4935 Boomer �0�3 46 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LM4935 Boomer �0�3 393 mm 393 mm �6�1– P o = 570 mW(V DD = 33V, 8 ) – SNR ( ) = 95 dB – = 11 A �6�1– Aux – PCM/I 2 S – / I 2 C SPI – OCL – AGC – RF CPI/CPO – D – 18 DAC 16 ADC 4 12 SAR ADC �6�1– 49 microSMDxt (393 x 393 mm) �6�1– PDAs DVD/CD/AAC/MP3 / 47 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation I 2 S / PCM AUX_L AB D AB AB AB AB VREF_FLT BG AUX_OUT EP_OUT LS_OUT HPL_OUT HPR_OUT BYPASS HP_VMID CP_OUT CP_IN INT_MIC EXT_MIC INT_BIAS EXT_BIAS AUX_R L E F T R I G H T C P I S I D E T O N E MIC G 7 1 1 P C M I 2 S I2SCLK I2SWS I2SSDI I2SSDO GPIO1 GPIO2 SCL/SCK SDA/SDI TEST_MODE MIC_DET IRQ HP_VMIDFB MCLK PLL_FLT -465dB 至 12dB -345dB to 12dB 6dB to 36dB 0dB to -30dB SPI_MODE ADC PLL BB_V DD D_V DD I 2 C/SPI DAC AMP BIAS & DET MIC BIAS & DET GPIO1 8 LM4676 8 L R VGND 32 32 RF MODULE 32 LM49370 Boomer �0�3 PCMCLK PCMWS PCMSDI PCMSDO 48 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LM49370 Boomer �0�3 393 mm 393 mm �6�1– P o = 570 mW(V DD = 33V, 8 ) – SNR ( ) = 95 dB – = 11 A �6�1– Aux – PCM – I 2 S �6�1 PCM �6�1 I 2 S – / I 2 C SPI – OCL – AGC – RF CPI/CPO – D speaker amp & – 18 DAC 16 ADC �6�1– 49 microSMDxt (393 x 393 mm) �6�1– PDA 2007 1 49 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LM4934RL LM4935RL I 2 S DAC, I 2 C/SPI, FIR, OCL , HP Spkrs, 3D D spkr I 2 S , I 2 C/SPI, OCL , HP Spkrs, 3D , 2 GPIO, 2 AGC , CPI/CPO, 16 LM4931ITL LM4930ITL LM4921ITL LM4937TL I 2 S DAC, I2C/SPI, FIR, OCL , HP Spkrs, 3D LM49370RL I 2 S PCM D spkr I 2 S , I 2 C/SPI, OCL , , 3D , 2 GPIO, 2 AGC , CPI/CPO, 16 D AB Boomer �0�3 50 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LM4888SQ LM4859TL/SP LM4857TL/SP LM4844TL LM4845/6TL HP, Spkrs, 3D, , I 2 C SE HP, Spkrs, , , I 2 C, 3D Spkrs, HP, I 2 C, OCL, 3D, HP Spkr, 3D, LM4856ITL/LQ LM4855ITL LM4852ITL/LQ LM4851ITL Spkr, , HP, I 2 C/SPI, OCL, 3D LM4946SQ Spkr, HP, I 2 C/SPI, OCL, 3D LM4947TL LM4949TL HP, D Spkrs, 3D, , I 2 C, SE HP, D Spkrs, , I 2 C, D AB Class LM49270SQ HP, D Spkrs, OCL, I 2 C, 3D Boomer �0�3 51 LED SE 52 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 LED �6�1 LED �6�1 LED �6�1 PWM �6�1�6�1�6�1 I 2 C �6�1 1 uA ( ) LED CURRENT CONTROL AUDIO SYNC FILTER I 2 C BUS SCL SDA ADR V I H V I L CONTROL INTERFACE PWM RANDOMIZER V DD V DD M IN L IN R IN FILT GND LGND LED1 LED2 LED3 I 2 CV DD I 2 CV DD LM4970 53 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 V DD = 3V 150 mA �6�1 5 ms �6�1 Work with Haptic �6�1 01 uA (typ) �6�1 LLP ON OFF BIAS MOTOR CONTROL SIGNAL V DD GND /SD BYPASS IN+ IN- VO1 VO2 01μF LQ 2 x 2 mm LM4570 54 55 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LMV1012 LMV1015 LMV1007 2 to 5V 2 to 5V 15V to 5V <180uA <180uA <250uA 60dB 60dB 67dB -89dBV -89dBV -94dBV 009% 009% 019% -7/15/20/25 -7/15/20/25 -7/15/20/25 -40 to 85C -40 to 85C -40 to 85C 25KV HBD, 4 焊球 microSMD 采用 LDB 技术的 4 焊球 microSMD 采用 LDB 技术的 4 焊球 microSMD 封装 25KV HBD 25KV HBD �6�1 BigMic ( ) Bi gMi c 56 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation LMV1031 LMV1032 2 to 5V 17 to 5V 60uA 60uA SNR ( ) 61dB 58dB ( ) -89dBV -97dB PSRR 70dB 84dB THD 013% 013% 170mVpp 300mV -15 -6/-15/-25 -40 至 85C -40 至 85C ESD 25KV HBD 25KV HBD 采用 LDB 技术的 4 个焊球的 microSMD 封装 113x 113x04mm microSMD �6�1 BigMic ( ) �6�1 ( ) Bi gMi c ( ) 3 57 �0�8 2007 National Semiconductor Corporation �6�1 I/O �6�1 HD MPC SNR �6�1 A/D �6�1 1 325 MHz �6�1�6�1�6�1 16 29V �6�1 58 dB ( ) SNR �6�1 -88 dB ( ) �6�1 300 mVpp �6�1 -44 dBFS �6�1 003% THD ( ) �6�1 600 uA ( ) �6�1 82 dB( ) PSRR �6�1 LMV1024: �6�1 LMV1026: �6�1 6 (04 mm) microSMD Bi gMi c LMV1024/2 58


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