关于共沉淀介绍

[拼音]：gongchendian

[外文]：coprecipitation

一种沉淀从溶液中析出时，引起某些可溶性物质一起沉淀的现象。例如，用氯化钡沉淀SO娸时，若溶液中有K+、Fe3+存在，在沉淀条件下本来是可溶性的硫酸钾和硫酸铁，也会有一小部分被硫酸钡沉淀夹带下来，作为杂质混在主沉淀中。

产生共沉淀的原因有：

（1）表面吸附，由于沉淀表面的离子电荷未达到平衡，它们的残余电荷吸引了溶液中带相反电荷的离子。这种吸附是有选择性的：首先，吸附晶格离子；其次，凡与晶格离子生成的盐类溶解度越小的离子，就越容易被吸附；离子的价数愈高、浓度愈大，则愈容易被吸附。吸附是一放热过程，因此，溶液温度升高，可减少吸附。

（2）包藏，在沉淀过程中，如果沉淀剂较浓又加入过快，则沉淀颗粒表面吸附的杂质离子来不及被主沉淀的晶格离子取代，就被后来沉积上来的离子所覆盖，于是杂质离子就有可能陷入沉淀的内部，这种现象称为包藏，又叫吸留。由包藏引起的共沉淀也遵循表面吸附规律。例如，在过量氯化钡存在下沉淀硫酸钡时，沉淀表面首先吸附构晶离子Ba2+；为了保持电中性，表面上的Ba2+又吸引Cl-；如果晶体成长很慢，溶液中的SO娸将置换出大部分Cl-；如果晶体成长很快，则SO娸来不及交换Cl-， 就引起较大量的氯化钡的包藏共沉淀。因为硝酸钡比氯化钡的溶解度小，所以钡的硝酸盐比氯化物更易被包藏。

（3）生成混晶，如果晶形沉淀晶格中的阴、阳离子被具有相同电荷的、离子半径相近的其他离子所取代，就形成混晶。例如，当大量Ba2+和痕量Ra2+共存时，硫酸钡就可和硫酸镭形成混晶同时析出，这是由于二者有相同的晶格结构，Ra2+和Ba2+的离子大小相近的缘故。

共沉淀现象是玷污沉淀的主要因素，要通过沉淀反应在溶液中获得绝对纯的沉淀是不可能的。在重量分析中，总是设法减少共沉淀的影响。洗涤和陈化是经常采取的措施，它们虽然对减少混晶共沉淀无能为力，却可以有效地减少表面吸附和包藏引入的杂质。改变杂质离子存在形式，降低沉淀速度，或采用均相沉淀，都是经常采取的措施，如这些方法不能奏效，还可采取再沉淀的方法。

共沉淀分离法是富集痕量组分的有效方法之一，是利用溶液中主沉淀物（称为载体）析出时将共存的某些微量组分载带下来而得到分离的方法。例如，在痕量Ra2+存在下将硫酸钡沉淀时，几乎可载带下来所有的Ra2+；当氯化银沉淀时，可将溶液中极微量的金收集起来，予以富集。