2． 模拟电路和器件的辐射损伤评估方法研究；
3． 模拟电路和器件的抗辐射加固技术研究；
2 陆妩，任迪远，郭旗，余学峰，艾尔肯，“运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应”半导体学报，2005,26（7）：1464.
3 陆妩，任迪远，郭旗，余学峰，艾尔肯，“JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性”，核技术，2005，28（10）：755。
4 陆妩，余学峰，任迪远，艾尔肯，郭旗，“双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性”核技术，2005，28（12）：925。
5 陆妩，余学峰，任迪远，郭旗，郑毓峰，张军，“辐射感生漏电流对CMOS运算放大器特性的影响”，固体电子学研究与进展，2004，24（2）：182。
研究领域：物理学类其他专业
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