我国首个256位分子存储器电路研制成功

我国首个256位分子存储器电路研制成功

借助中科大国家同步辐射实验室二次X射线光刻工艺，中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室近日成功研制出国内首个256位分子存储器电路。 

据介绍，分子电路是指在分子层次上构筑的电子器件及集成电路，是后摩尔时代接替硅基电路最受关注的方向之一。它能够使电子器件的关键尺寸缩小到分子尺度，推动集成电路向更小尺寸、更高集成度方向发展。

分子存储器是利用有机分子的电学双稳态特性实现存储功能的。分子存储器要实现高密度存储，就需要有效的降低特征尺寸，即存储点的周期。研究人员在深入研究不同转变机理的各种电阻转变型双稳态材料的基础上，基于一次电子束光刻和二次X射线曝光的具有完全知识产权的混合光刻技术，成功研制了国内首个256位分子存储器电路。该存储器电路的特征尺寸达到250nm，电学性能优异。实验结果表明分子存储器的分子层没有受到损伤。这一进展为我国分子电路的高集成度、高速度和低功耗的实现奠定了重要基础，有力推动了我国分子电子学的发展。