无晶圆厂商ASIC直接采用45nm工艺

无晶圆厂商ASIC直接采用45nm工艺,第1张

跳过65nm,无晶圆厂商ASIC直接采用45nm工艺

在向几大前沿技术的转移策略中,eASIC公司选择跳过65nm节点,直接推出“零掩模费用”的45nm ASIC产品线。

除了发布Nextreme-2系列产品外,这家无晶圆厂的结构化ASIC提供商还更替了代工合作伙伴,由日本富士通改为新加坡的特许半导体。

对于eASIC公司的90nm结构化ASIC器件,富士通公司采用的是e-Shuttle公司提供的直接写入电子束技术生产。e-Shuttle公司是富士通和Advantest公司联合建立的一家合资公司。

与90nm器件不同的是,45nm器件将使用193nm的沉浸式光刻技术进行制造。

eASIC公司首席执行官Ronnie Vasishta表示,公司将继续销售富士通制造的90nm ASIC。他透露,“eASIC公司与富士通的合作非常非常愉快,但希望加快45nm工艺发展步伐,而富士通目前尚欠缺45nm工艺。”

目前已可实际使用的45nm工艺技术让eASIC公司决定跳过65nm工艺节点,Vasishta表示,因为45nm节点可以使ASIC拥有比FPGA和ASSP更具竞争性的优势。

一般来说,FPGA受限于总体架构,而ASSP受限于定制能力,他指出,而45nm ASIC可以向用户以“更高的性能”提供“更强的功能”。

许多竞争对手同样在积极跟进45/40nm节点技术。IBM公司已经发布过45nm ASIC产品线,而Altera公司最近也推出了一款基于台积电公司(TSMC)40nm技术的FPGA和结构化ASIC产品线。

其它一些无晶圆生产厂的ASIC设计公司,包括eSilicon公司和台湾的创意电子公司,也在开发45或40nm ASIC。创意电子公司还表示到今年底将推出32nm的试验器件。eSilicon和创意电子公司都是将台积电作为他们唯一的代工厂。


图:IC设计成本随工艺节点减小而狂飙。

据Gartner公司预测,ASIC市场在2008年的增长率可能只有3.7%。今年全球只有2%的ASIC流片会采用45/40nm技术,不过这家研究公司相信,该前沿产品市场将得到迅速发展。

“对45nm ASIC设计的需求已经有所起色,但主要是那些与大型系统公司合作的领先ASIC供应商才负担得起前沿ASIC的高额成本。”Gartner公司分析师Bryan Lewis表示。

急剧高涨的IC设计成本和光掩模价格使得ASIC远离许多小型客户。IC设计成本目前在2,000万美元至5,000万美元之间,到32nm节点时平均设计成本将达到约7,500万美元。

随着采用结构化ASIC模型的新产品的推出,eASIC公司“试图降低进入门槛,让一些较小(客户)公司也能从先进的ASIC技术中受益。”Lewis表示。

90nm设计的发展动力

这家无晶圆厂的芯片设计公司是从90nm节点开始在激烈的市场中脱颖而出的。该公司声称自己之前的一些器件曾在消费、军事和无线应用获得约120项设计大奖。

在90nm节点,eASIC对晶圆的预处理能力达到号称的Metal-6层。在用户下定单后,Metal-6层将通过eShuttle公司的直接写入电子束进行处理,因此理论上可以消除非重复工程(NRE)成本。

Nextreme-2产品线将采用特许半导体公司的45nm低功率工艺制造。特许半导体公司不使用电子束技术,而是使用193nm的沉浸式光刻技术。在这家代工厂,eASIC公司将保持多达Via-4层的预处理晶圆库存,并且只在用户下定单时接受处理。

Vasishta透露,eASIC公司将使用特许半导体公司的多项目晶圆技术来确保没有掩模费用。多项目晶圆将多个供应商的多个器件组装在一个光掩模上,因此能降低和分期清偿掩模成本。

尽管转用了光刻技术,但eASIC公司仍能保证在6周时间内提供成品器件。45nm产品线目前由Nextreme-2和Nextreme-2T系列组成。

Nextreme-2系列包括6条ASIC产品线,规模从2,700到19,900个逻辑门不等。器件内的逻辑矩阵据说可以提供高达700MHz的性能。

Nextreme-2T产品线由两种器件组成,规模分别为10500和19900个逻辑门。该产品线包含有用于高端通信设备的收发器。由于最多可以集成56个收发器,因此该产品的总带宽可以高达364Gbps。

收发器的集成使得Nextreme-2T成为高性能网络设备的可行选择,如交换机、路由器、流量管理、城域传输和移动回程等,eASIC公司表示。

与90nm产品一样,新产品采用了三氧晶体管技术,据说其功耗与FPGA相比最多可以降低80%。eASIC公司正在接洽早期进入市场的用户,批量应用将从第四季度开始。

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