eeprom跟flashrom有什么区别

　　flashrom

　　快速擦写只读编程器。也就是我们常说的“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。

　　FlashROM它的最大特点是必须按块（Block）擦除（每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格）， 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节（Byte）。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM就显得不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM不需要。

　　一、闪存简介

　　Flash-ROM（闪存）已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存，与 EEPROM 相比具有读写速度快，而与 SRAM 相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于 NOR 和 NAND 结构的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年东芝公司发表了 NAND flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国　Samsung　公司），强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

　　但是经过了十多年之后，仍然有相当多的工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存，也搞不清楚 NAND 闪存技术相对于 NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时 NOR 闪存更适合一些。而 NAND 则是高资料存储密度的理想解决方案。

　　NOR 的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

　　NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何所有的 U 盘都使用 NAND 闪存做为存储介质的原因。应用 NAND 的困难在于闪存和需要特殊的系统接口。

　　

　　二、性能比较

　　闪存是非易失内存，可以对称为块的内存单元块进行擦写和再编程。任何闪存器件的写入 *** 作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入 *** 作之前必须先执行擦除。NAND　器件执行擦除 *** 作是十分简单的，而　NOR　则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为　0。

　　由于擦除　NOR　器件时是以　64～128KB　的块进行的，执行一个写入/擦除 *** 作的时间为5s，与此相反，擦除　NAND　器件是以　8～32KB　的块进行的，执行相同的 *** 作最多只需要　4ms。

　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了　NOR　和　NAND 之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入 *** 作（尤其是更新小文件时），更多的擦除 *** 作必须在基于　NOR　的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

　　1） NOR的读速度比NAND稍快一些。

　　2） NAND的写入速度比NOR快很多。

　　3） NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入 *** 作需要先进行擦除 *** 作。

　　4） NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

　　三、接口差别

　　NOR 闪存带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

　　NAND读和写 *** 作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类 *** 作，很自然地，基于NAND的闪存就可以取代硬盘或其它块设备。

　　EEPROM

　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory），电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。

　　EEPROM（带电可擦写可编程读写存储器）是用户可更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。

　　

　　EEPROM

　　EEPROM，一般用于即插即用（Plug & Play）。

　　常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据。

　　也常用在防止软件非法拷贝的“硬件锁”上面。

　　基本原理

　　由于EPROM *** 作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。

　　EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。借助于EEPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“on”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“off”的位置，防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。所以，至今仍有不少主板采用EEPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。

　　EEPROM与Flash区别

　　EEPROM，EPROM，FLASH 都是基于一种浮栅管单元（FloaTIng gate transister）的结构。 EPROM 的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的 单元是由FLOTOX（FloaTIng- gate tuneling oxide transister）及一个附加的Transister 组成，由于FLOTOX 的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH 是结合EPROM 和EEPROM 技术达到的，很多FLASH 使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM 一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，FLASH 对芯片提供大块或整块的擦除，这就 降低了设计的复杂性，它可以不要 EEPROM 单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集 成度，大容量，另FLASH 的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

　　其实对于用户来说，EEPROM 和FLASH 的最主要的区别就是

　　1。EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。

　　2。EEPROM 一般容量都不大，如果大的话，EEPROM 相对与FLASH 就没有价格上的优势了。 市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上（NOR 型）。

　　3。读的速度的话，应该不是两者的差别，只是（硕士论文）EERPOM 一般用于低端产品，读的速度不 需要那么快，真要做的话，其实也是可以做的和FLASH 差不多。

　　4。因为EEPROM 的存储单元是两个管子而FLASH 是一个（SST 的除外，类似于两管）， 所以CYCLING 的话，EEPROM 比FLASH 要好一些，到1000K 次也没有问题的。

　　总的来说，对与用户来说，EEPROM 和FLASH 没有大的区别，只是EEPROM 是低端产品， 容量低，价格便宜，但是稳定性较FLASH 要好一些。 但对于EEPROM 和FLASH 的设计来说，FLASH 则要难的多，不论是从工艺上的还是从外围 电路设计上来说。

　　Flash memory 指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM 的改进产品。它的最大特点是必须按块（Block）擦除（每个区块的大小不定，不同厂家的产品 有不同的规格）， 而EEPROM 则可以一次只擦除一个字节（Byte）。目前“闪存”被广泛用在 PC 机的主板上，用来保存BIOS 程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作 为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM 就显 得不合适，因为RAM 需要能够按字节改写，而Flash ROM 做不到。

　　ROM 和RAM 指的都是半导体存储器，ROM 是Read Only Memory 的缩写，RAM 是Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM 通常都是在掉电之后 就丢失数据，典型的RAM 就是计算机的内存。

　　RAM 有两大类，一种称为静态RAM（StaTIc RAM/SRAM），SRAM 速度非常快，是目前读写最 快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU 的一级缓 冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM 保留数据的时间很短，速度 也比SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM 都要快，但从价格上来说DRAM 相比SRAM 要便宜很多， 计算机内存就是DRAM 的。

　　DRAM 分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、 SGRAM 以及WRAM 等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM， 这种改进型的RAM 和SDRAM 是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据， 这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势， 事实上击败了Intel 的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高 速DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高3D 加速卡的像素渲染能力。

　　ROM 也有很多种，PROM 是可编程的ROM，PROM 和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是， PROM 是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能 使用了，而EPROM 是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种 EEPROM 是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。 举个例子，手机软件一般放在EEPROM 中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存 在SRAM 中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM 中），因为当时有很重要工作（通 话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。

　　FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM） 的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据 （NVRAM 的优势），U 盘和MP3 里用的就 是这种存储器。在过去的20 年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备， 然而近年来 Flash 全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader 以 及 *** 作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U 盘）。

　　目前Flash 主要有两种NOR Flash 和NADN Flash。NOR Flash 的读取和我们常见的SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少SRAM 的容量 从而节约了成本。NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的 形式来进行的，通常是一次读取512 个字节（我要论文），采用这种技术的Flash 比较廉价。用户不能直 接运行NAND Flash 上的代码，因此好多使用NAND Flash 的开发板除了使用NAND Flah 以外， 还作上了一块小的NOR Flash 来运行启动代码。

　　一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储 *** 作系统等重要信息，而 大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH 应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip） 和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu 和Toshiba，而生产NAND Flash 的主要厂家有Samsung 和Toshiba。

　　SRAM 是StaTIc Random www.wylunwen.com Access Memory 的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是 一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM 中的数据就不会丢失。这一 点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM 需要进行周期性的刷新 *** 作。 然后，我们不应将SRAM 与只 读存储器（ROM）和Flash Memory 相混淆，因为SRAM 是一种易失性存储器，它只有在电源保持 连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而 不管前一次访问的是哪一个位置。

　　SRAM 中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。 这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0 和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制 读或写 *** 作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结 构使得SRAM 的访问速度要快于DRAM。

　　SRAM 比DRAM 访问速度快的另外一个原因是SRAM 可以 一次接收所有的地址位，而DRAM 则使用行地址和列地址复用的结构。 SRAM 不应该与SDRAM 相混淆，SDRAM 代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），这与SRAM 是完全不同的。SRAM 也不应该与PSRAM 相混淆，PSRAM 是一种伪装成SRAM 的DRAM。

　　从晶体管的类型分，SRAM 可以分为双极性与CMOS 两种。从功能上分，SRAM 可以分为异 步SRAM 和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM 的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变 化控制。同步SRAM 的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信 号均于时钟信号相关。