三星宣布量产第二代10nm级别1y-nm 8Gb DDR4颗粒,高频内存3600MHz起步

据报道，三星第二代10nm级别的1y-nm 8Gb DDR4颗粒已经正式投产了，8Gb DDR4颗粒采取了先进的专用电路设计技术，比初代10nm级别（1x-nm）的高30%，并且高频内存要以3600MHz起步。

三星刚才宣布量产第二代10nm级别（1y-nm）的8Gb DDR4内存颗粒，新的内存具备更高的频率与更低的供货，以及更小的尺寸，产能可以比初代10nm级别（1x-nm）的高30%，然而价格嘛……应该暂时不会降。