欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
联华电子宣布,推出的40nm纳米SST嵌入式快闪记忆,在以往55纳米单元尺寸减少20%以上,整体缩小了20~30%。东芝电子元件&存储产品公司赈灾评估这个微处理器芯片。
赞
(0)
打赏
微信扫一扫
支付宝扫一扫
一种高性能32位移位寄存器单元的设计
上一篇
2022-08-04
三星投资60%部署NAND闪存业务 预测将出现供大于求
下一篇
2022-08-04
评论列表(0条)