Intel第三代1TB 3D闪存 单Die将升级到512Gb

在Intel第三代3D闪存固态盘我们可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技术，Intel的单Die升级到了512Gb，不需要整合DRAM做缓冲池。具体的信息将会CES 2018上才知晓。

TMHW拿到了一份Intel的年度回顾文件，其中出现了一款神奇的SSD新品。

图中，Intel介绍，最左边是2016年的第一代1TB 3D闪存SSD，中间是第二代，右边是明年的第三代，显然，他们分别代表2.5寸SATA3、M.2和BGA封装。

由于体积比中间Intel 600P上的闪存芯片大，外媒分析这是一款MCP（多芯片封装）的SSD，体积按规范有1620（16mmx20mm）、2024、2228、2828四种。

此前，东芝曾做过1620的BGA封装BG3 SSD，固定在M.2接口PCB上，走PCIe 3.0 x2通道。

而目前采用多芯片独立封装，量产整合的最大产品就是东芝64层，但Die容量256Gb（32GB），16个Die，总计512GB，所以Intel的单Die升级到了更理想的512Gb。

另外，从成本和方便性考虑，Intel的新1TB BGA SSD应该还用上了 Host Memory Buffer （HMB）技术，也就是不需要整合DRAM做缓冲池，毕竟Intel也没有DRAM工厂。

可能的话，两周后的CES 2018上，我们就有机会进一步了解这款SSD的细节。