电子发烧友早八点讯： 据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样

2016年下半年NAND闪存遇到了转机，SSD及移动设备需求高涨，使得三星、东芝、美光、SK Hynix公司一扫上半年的颓势，营收、利润双双大涨，过上好日子。目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有

电子发烧友早八点讯：美国《纽约时报》近日发表文章称，虽然很多电脑芯片目前还是美国制造，但激烈的海外竞争已兵临城下。在这种背景下，美国芯片业将希望寄托在新任总统特朗普身上。以英特尔为例，这家芯片巨头正与

电子发烧友早八点讯：苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB

基于闪存的高性能存储设备已经日益成为企业基础设施的必选。他可以通过服务器高速缓存和直接附加存储阵列混合动力或全固态存储设备的方式在企业中存在。但是，企业的存储需求正在激增，这意味着企业无论是机械硬盘还

上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术，QLC类型容量做到了1.33Tb容量，创造了三个世界第一。国产闪存突飞猛进，三星等公司也没闲着，三星正在开发160堆栈的3D闪存。对3D闪存来说，堆

在Intel第三代3D闪存固态盘我们可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技术，Intel的单Die升级到了512Gb，不需要整合DRAM做缓冲池。具体的信息将会CES