海力士发布72层256G 3D闪存芯片

电子发烧友早八点讯：苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。

海力士自从2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 层 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月开始生产。因为层数更多，利用现有的生产线，产能可以提升 30%。海力士将在今年下半年开始量产。

iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配备的 NAND 闪存供应商来自东芝和海力士。一些 iPhone 7 采用东芝 48 层 3D BiCS NAND 芯片，这种芯片之前从未出现在其他商业产品中。其他 iPhone 7 型号采用海力士闪存芯片。

32GB iPhone 7 比 128 GB 型号更慢，前者的数据读取速度为 656 Mbps，后者为 856Mbps。东芝和海力士的内存芯片采用 15纳米工艺打造。

声明：电子发烧友网转载作品均尽可能注明出处，该作品所有人的一切权利均不因本站转载而转移。作者如不同意转载，即请通知本站予以删除或改正。转载的作品可能在标题或内容上或许有所改动。