第五代BiCS Flash 3D存储芯片可以将接口速度提高50%

存储公司 Kioxia(原东芝存储)近日宣布，将在今年 Q1 送样 112 层 TLC Flash 芯片，这是第五代 BiCS Flash 3D 存储芯片。

第五代处理技术可提供 1T 比特(128G 字节)的 TLC 和 1.33T 比特的 4 位 / 单元(四级单元，QLC)器件。

112 层堆叠工艺技术在 96 层堆叠基础上增加了大约 20%的单元阵列密度。

它还可以将接口速度提高 50%，并提供更高的编程性能和更短的读取延迟。

第五代 BiCS FLASH 将在该公司的横滨工厂和新建的北川工厂生产。