长江存储64层3D NAND芯片专利研发完成，预计明年完成生产线建置

紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。

近期3Ｄ NAND芯片价格走弱，长江存储挟紫光集团资源，投入主流NAND芯片量产，为市场投下震撼d，对群联、威刚等NAND概念股影响值得观察。

另一方面，长江存储在先进NAND技术报捷，也将牵动后段封测厂订单状况，南茂先前透过处分转投资上海宏茂科技股权予紫光集团，成为国内首家与紫光集团搭上合资联盟的业者，长江存储大量产出后，南茂可望抢食相关封测订单，成为此波大陆大举扩张NAND势力的受惠台厂。

据了解，长江存储将于今天在国际性快闪存储器指标性盛会“快闪存储器高峰会”（Flash Memory Summit）正式公布64层3D NAND 芯片专利，向全球展现大陆已具备自主研发快闪存储器技术能力，并追上主流产品脚步，相关产品预计明年量产，加入全球列强竞逐快速成长的NAND芯片市场。

消息人士透露，紫光此次选在国际性盛会公布长江存储自行研发的64层3D NAND芯片专利，等于开放全球存储器大厂公开检视长江存储的64层3D NAND芯片技术布建，向全球宣示大陆在发展快闪存储器的脚步比前一期的32层产品更快，未来将会是3D NAND芯片供应链的重要一员。

据了解，长江存储董事长杨士宁今天亲自上阵，在美国Santa Clara举行的“快闪存储器高峰会”正式发表长江存储的64层 3D NAND芯片专利。目前全球仅三星、SK海力士、东芝、美光、英特尔等大厂有能力生产相关产品。

长江存储宣称32层3D NAND芯片良率已超过九成，不过由于产品市场接受力有限，长江存储只当做练兵，月产能仅5，000片，预料未来进入64层3D NAND芯片世代将加快量产规模，届时对NAND市场冲击加深，震撼业界。