新型存储技术3D XPoint目前处于发展初期 美光英特尔分道扬镳

近期，美光正式宣布，对IM Flash Technologies，LLC（简称“IM Flash”） 中的权益行使认购期权。IM Flash是美光与英特尔的合资公司，主推市场上的新型存储芯片技术3D Xpoint。

目前，英特尔已经推出关于3D Xpoint存储器的产品傲腾系列SSD，美光却迟迟没有产品正式推出。作为新一代存储技术的代表，3D Xpoint的未来会因为美光与英特尔的分手受到影响吗？

美光英特尔分道扬镳

美光科技官方表示，将从 2019 年 1 月 1 日起行使对合资公司IM Flash认购期权。这笔交易将在美光科技执行认购期权后的 6～12个月之内完成。

美光科技总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra认为，此次收购代表着美光对于3D XPoint 技术全方位的肯定。“我们坚信3D XPoint技术和其他新兴存储技术将为公司提供独一无二的差异化优势，并为海量数据需求的新型应用提供不可或缺的重要解决方案。” Sanjay Mehrotra说。

IM Flash 合资公司目前已并入美光科技的财务报表中。美光科技表示，该交易完结之时，美光科技预计将支付约15亿美元现金，解除英特尔在IM Flash的非控股权益以及英特尔对该合资企业的债务。截至2018年8月30日，这笔债务约为10亿美元。

2018 年7月，美光科技和英特尔达成共识，预计于 2019 财年下半年，在完成第二代节点结束3D XPoint 技术的联合开发工作之后，两家公司将独立推动自己的未来技术路线图。

美光宣称，将在这笔交易完成后的一年内向英特尔出售 3D XPoint 存储芯片。但是在旧金山Micron Insight 2018大会上，美光所有高管对第二代3D Xpoint细节都守口如瓶，只预计于2019年年底会有产品样本。

3D Xpoint何方神圣？

3D XPoint最初由英特尔和美光共同推出，期望这项新技术可以完成RAM的动态速度，并且将成本控制在DRAM和NAND闪存之间，一方面可以在DRAM主存储和NAND SSD之间提供新的存储层，另一方面也可以提高计算机的性价比。

目前看来，作为一种非易失性内存，3D Xpoint与主流NAND Flash相比，读写速度相差1000倍，并且使用寿命更长。与易失性内存DRAM相比，其制造成本少，因此被视为补足DRAM与NAND Flash差距的产品。

如此高的性能指数让业内传出了一种声音，“3D Xpoint将有机会替代NAND Flash”。

到目前为止，3D Xpoint被英特尔包装为“傲腾（Optane）”产品，并且在消费级和企业级市场拥有了一定声量，英特尔承诺以DIMM格式发布3D XPoint内存，但目前尚未公开产品细节。

不过，英特尔透露，他们已经在2018年8月的闪存峰会上向谷歌提供这些DIMM。美光也在Micron Insight 2018大会上表示，将于2019年末交付3D Xpoint产品给核心客户测试，并于2020年量产。

那么两大风向标公司的行为又要如何解读？

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）分析师叶茂盛告诉记者，虽然3D XPoint的速度以及性价比方面均具备一定的优势，但是3D XPoint并不能够轻易地取代NAND闪存或DRAM。

“3D XPoint和NAND Flash的应用场域仍有差距。与DRAM相比，3D XPoint虽然可以满足特定的条件，但是速度上仍逊于DRAM。”叶茂盛说。

尽管3D XPoint可能会用于减少系统所需的DRAM数量以达到任何给定的性能水平，但是到目前为止，3D XPoint只能在PCIe非易失性存储器快速（NVMe）接口中使用。

据了解，虽然NVMe是SSD所有接口中，读取速度最快的接口之一，但是，相对于3D XPoint存储的固有速度相比，它速度仍然较慢。

在分道扬镳之前，英特尔与美光公司曾共同宣称，3D XPoint的速度是NAND闪存的1000倍，但经过几年市场的历练，事实上，英特尔傲腾产品中固态硬盘的速度只有NAND闪存的六到八倍。

“平均单价差距太远，NAND具有高度规模化以及单位容量便宜的优势，这不是3D XPoint能够在短期内追逐到的”叶茂盛说。

新型存储技术处于发展初期

3D XPoint成为了下一代存储技术中的代表，除此之外，相变存储器（PCM）、铁电存储器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、电阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋转移力矩RAM（STT－RAM）、导电桥RAM（CBRAM）、氧化物电阻存储器（OxRAM）等众多新型存储器技术或将在未来的存储器市场割据。诸多新兴技术中，势必有一些会离开舞台，也会有一些经过市场的检验，存留下来。

Rambus公司的杰出发明家和营销方案副总裁Steven Woo表示，在传统的存储市场中，经典存储架构中依旧会有需要填补的空白。这就为新型存储技术们提供了舞台。但是在众多的新型存储技术中，可能会有一两种生存下来，但是更多的可能被淘汰。

“可能是3D XPoint，英特尔和美光公司研发的PCM，或者ReRAM、MRAM，也可能是其他的存储器。关键问题是哪种会脱颖而出。但这主要由在给定性能参数范围内的数据输入输出确定。” Steven Woo说。

叶茂盛也表示，目前无法断定哪种新型存储器技术会存留下来。“尽管3D XPoint完全不同于很多新型存储技术，但是与3D XPoint同台竞技的新一代存储技术很多，包括ReRAM、MRAM、FRAM等，不过由于以上技术都仍在早期发展阶段，所以对于下一代存储技术的竞争，目前仍难以评断技术的高下。”叶茂盛说。