N沟道MOSFET延长便携设备电池寿命

N沟道MOSFET延长便携设备电池寿命

　　      飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先进的PowerTrench工艺技术，具有更低的RDS(ON)，更高的效率，并可延长电池寿命。

　　      飞兆半导体的FDZ192NZ和FDZ372NZ是业界最小、最薄的晶圆级芯片尺寸(wafer-level chip-scale, WL-CSP) 封装N沟道器件。这些器件通过使用先进的芯片级尺寸封装工艺，能够显著节省线路板空间，为便携应用带来至关重要的优势。

　　      这些先进的WL-CSP MOSFET标志着封装技术的重大突破，使到器件能够综合出色的热转移特性、超薄封装、低栅极电荷和低RDS(ON)特性，并确保在低至1.5V的VGS 下能达到RDS(ON)额定值。另外，这些器件还提供大于2200V的HBM ESD保护等级。

　　      FDZ192NZ采用厚度仅为0.65mm 的1.5mm x 1.0mm封装；FDZ372NZ采用1.0mm x 1.0mm封装，具有业界领先的0.4mm厚度。相比尺寸为1.6mm x 1.6mm的业界最接近的同类器件，FDZ192NZ的体积减小了41%；而FDZ372NZ则减小了61%，高度降低了40%。

　　      FDZ192NZ和FDZ372NZ是飞兆半导体丰富的先进MOSFET产品系列中的一部分，这些器件能够满足市场对用于充电、负载切换、DC-DC及升压应用的紧凑的、薄型、高性能MOSFET器件的需求。