SOI和单片3D集成技术 芯片成本战的杀手锏

　　2014年S3S会议上，工程师共同分享了SOI材料的优势，亚阈值电压的设计新方案，单片3D集成以及今年的企业并购案。今年芯片行业一共有23起收购案，比前两年的总量还多。预计到年底，并购的总额将由174亿美元上升到30亿美元。

近几年并购案分析　　

        芯片制造成本越来越高，工艺也越来越复杂，这已经潜在的促使了半导体厂商的合并。研发一颗28nm芯片需要3600万美元，而20nm芯片需要耗资5300万美元，16nm和14nm更是天价级别。

　　晶体管生产的费用正在不断的上升，这是不争的事实。但是，英特尔在9月宣称其14nm FinFET制程可降低生产陈本。

　　尽管14/16 nm FinFET技术是行业的主流趋势，超薄SOI制程依然存在相当的机会。

　　对于手机芯片来说，10nm和14nm FinFET技术价格太贵，近4-6年内都不会选择FinFET。而20nm SOI或许可满足手机芯片的价格问题。

　　另一方面，联发科高性能处理器技术总监Alice Wang对亚阈值区做案例了研究，这一目的是为了使芯片达到低功耗特性。

　　随着可穿戴设备的出现和其技术问题低功耗设计也是大势所趋，然而这给市场打来了极大的挑战。

　　目前，在两次会议上共同商讨的单片3D设计方案已经在最新的闪存中使用。CEA-LeTI和ST的研究人员利用单片3D集成技术代替节点缩放，这大大减少了研发的费用。EV Group和尼康的代表还分享了成键和定位系统技术，这一方面降低了目前3D芯片堆栈的成本另一面使其更简洁。

　　EV Group展示了200nm甚至更精确的定位系统将成为可能，尼康代表还指出EGA精密芯片键合方法可应用于未来的3D芯片制造，例如DRAM、MPU和图像传感器。

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