三星宣布第2代14纳米FinFET工艺技术投入量产

　　三星于2015年第一季度发布了半导体芯片行业首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工艺量产的Exynos 7 Octa处理器，成为FinFET逻辑制程上的行业引领者。随着14nm LPP制程投入量产，三星进一步展现了工艺技术上的领先优势，让业界看到全新的三星Exynos 8 Octa及为高通等客户代工的处理器所具备的卓越性能和功效。高通的骁龙820处理器正是采用了三星最新的14nmLPP制程技术制造，将于今年上半年出现在各品牌的旗舰智能手机上。

　　“我们很高兴成为行业生产的主导者，第二代14nm FinFET工艺技术提供了最高水准的性能和功效。”三星电子系统LSI业务销售和营销执行副总裁Charlie Bae表示，“三星将致力于14nm FinFET工艺制程下一阶段的研发，始终保持我们在技术上的领先优势。”

　　全新14纳米处理器运用3D FinFET设计结构，实现高性能和低功耗。通过晶体管结构和工艺上的优化改进，与之前通过14nm LPE制程生产的处理器相比，三星14nm LPP制程生产的处理器性能提升了15%，而功耗则降低了15%。此外，使用全耗尽技术的FinFET晶体管使得芯片的生产克服了尺寸缩小的限制，制造能力将进一步增强。

　　14nm FinFET制程凭借超强的特性，被誉为移动和物联网应用的不可或缺的解决之道；它可以满足不断增长的市场需求，为互联网到汽车的广大应用领域带来更出色的高能和低耗方案。