10nm工艺+6GB LPDDR4内存!三星Galaxy Note 6实力爆表

10nm工艺+6GB LPDDR4内存!三星Galaxy Note 6实力爆表,第1张

  10nm工艺,似乎成了芯片代工大厂最新努力的目标。ARM公司5月18日宣布,已经与台积电合作完成了全球第一个基于10nm工艺的芯片的流片工作,而且使用了尚未宣布的顶级新架构“Artemis”。三星显然也不甘于人后。

  日前在深圳召开的2016三星移动解决方案论坛上,这家韩国OEM厂商宣布了最新的6GB LPDDR4内存。和现有芯片和6GB内存芯片最大的区别在于使用了最新的10nm制造生产工艺,承诺带来更快更高效的内存。

  简而言之 ,“nm”用于描述创建芯片的生产工艺级别,前面的数字越小越好。更小的芯片不仅占据空间更少而且能够具备更低的功耗和更强悍的性能。在处理器方面目前依然停留在14nm工艺上,例如最新的高通骁龙820处理器。而三星现在打造的6GB内存,除了使用LPDDR4标准之外也是首次在智能手机业内使用10nm级别的内存。

  鉴于现在的发布时间,我们有很大的理由相信在今年9月份(或8月)亮相的Galaxy Note 6将会搭载这款6GB内存,在其他方面根据目前掌握的谣传信息该机屏幕将会在5.8到5.9英寸之间,有可能成为三星历史上首款打杂USB-C端口的设备,但是否会具备弧形屏幕目前尚不确认。

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原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2675564.html

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