美国高通技术公司宣布第四代3GLTE多模调制解调器和射频收发芯片

美国高通技术公司宣布第四代3GLTE多模调制解调器和射频收发芯片,第1张

  —最新调制解调器技术作为首个商用解决方案,率先为FDD和TDD提供全球4G LTE Advanced 40MHz载波聚合,下载速率最高达300 Mbps—

  2013年11月20日,纽约——美国高通公司(NASDAQ:QCOM)今日宣布,其子公司美国高通技术公司推出其第四代3G/LTE多模解决方案,包括最新的调制解调器芯片组Qualcomm Gobi™ 9x35和射频收发芯片Qualcomm WTR3925,带来行业领先的4G LTE Advanced 移动宽带连接。这两款产品属于美国高通技术公司第四代3G/LTE多模解决方案,在性能、功耗和印刷电路板面积要求方面都有显著提升。

  Qualcomm Gobi 9x35是首款发布的基于20纳米工艺的蜂窝调制解调器,支持LTE TDD和FDD Category 6网络上最高40MHz的全球载波聚合部署,下载速率最高可达300Mbp。Gobi 9x35支持向后兼容,能够支持所有其他主要蜂窝技术,包括双载波HSPA(DC-HSPA)、EVDO Rev. B、CDMA 1x、GSM和TD-SCDMA。Qualcomm WTR3925是首款发布的基于28纳米制程的射频收发芯片,也是美国高通技术公司首个支持3GPP批准的所有载波聚合频段组合的单芯片载波聚合射频解决方案。WTR3925芯片与Gobi 9x35芯片组及Qualcomm RF360™前端解决方案一起,将带来移动行业首个全球单一SKU的LTE平台。

  美国高通技术公司执行副总裁兼QCT联席总裁CrisTIano Amon表示:“我们很兴奋推出第四代3G/LTE多模连接解决方案,进一步扩展我们的产品组合。这些产品不仅扩展了我们行业领先的Gobi产品路线图,还推动设计出能够连接到全球最快的4G LTE Advanced网络且更薄、更高效的移动终端。”

  Gobi 9x35和WTR3925经过专门设计,功耗更低且占据更小的印刷电路板面积,延续了更紧密集成、更小尺寸和更高性能的趋势。Gobi 9x35的40MHz载波聚合技术,结合WTR3925的全面载波聚合频段支持,使网络运营商能够在所有3GPP批准的带宽组合(包括5 MHz、10 MHz、15 MHz和20 MHz)中整合分散的频谱,增加网络容量,为更多用户带来更好的终端用户体验。WTR3925还集成Qualcomm IZat™定位平台,旨在提供无缝的全球定位服务。

  对OEM厂商来说,Gobi 9x35调制解调器和WTR3925芯片相结合,提供强大的单一平台,可用于在全球范围内更快地推出LTE Advanced终端。这些解决方案支持速度提升两倍的LTE Advanced、最高300 Mbps的CAT 6以及双载波HSUPA和双频段多载波HSPA+。

  预计Qualcomm Gobi 9x35调制解调器和WTR3925芯片将于明年年初开始向客户出样。

  关于美国高通公司

  美国高通公司(NASDAQ:QCOM)是全球3G、4G与下一代无线技术的领军企业,包括高通技术许可业务(QTL)和其绝大部分的专利组合。美国高通技术公司(QTI)为美国高通公司的全资子公司,与其子公司一起运营美国高通公司所有的工程、研发活动以及所有产品和服务业务,其中包括其半导体业务QCT。25年多来,美国高通公司的创想和创新推动了数字通信的演进,将各地的人们与信息、娱乐和彼此之间更紧密地联系在一起。欲了解更多信息,请访问美国高通公司网站,博客和微博。

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