三星晶圆代工产能在联电与中芯间 远低于台积电

三星晶圆代工产能在联电与中芯间 远低于台积电,第1张

  三星在中国论坛中释出针对高速成长的中国IC市场提供晶圆代工服务的讯息,瑞信证券等外资法人昨日(8月31日)指出,三星逻辑产能介于联电中芯间、但远少于台积电,因此,仍无法撼动台积电霸业。

  但港商马来亚证券提醒,三星在高阶制程的最新策略可能比外界预期还要积极,也意味着2018与2019年台积电、三星、英特尔在7纳米竞争将更为激烈。目前 仍处于高成长的中国IC市场,自然成为兵家必争之地,根据美系外资券商的预估,中国IC内部IC成长率为20%,营收规模则高达100亿美元。

  瑞信证券台湾区研究部主管艾蓝迪(Randy Abrams)表示,根据三星已经揭露的讯息,约当8与12寸晶圆的每月产能分别为19与13.5万片,合计产能介于联电与中芯之间,但仍落后给台积电。

  艾蓝迪指出,三星扩大在中国晶圆代工服务的最大用意,在于苹果转投台积电怀抱,以及高通开始采用多代工策略后,需透过中国客户订单来弥补,目前三星半导体部 门的营收比重中,有50%来自晶圆代工(高通、凯为、安霸、超微/辉达、苹果)、20%来自于应用处理器、10%来自于自家晶片。

  艾蓝迪认为,台积电在2017年10纳米与2018年7纳米,与苹果、联发科海思等客户间的关系还是会很紧密,三星预计在2018年底、也就是7纳米开始采用极紫外光(EUV)技术时才会对台积电形成挑战。

  不过,马来亚证券只指出,持乐观看法者认为台积电在10与7纳米制程正拉开与三星之间的差距,但事实上,这两家公司的产品进度是颇为接近的,10纳米客户参与或许已结束,但7纳米大门还是开着。

  三星抢食大陆晶圆代工大饼

  

  全球前6大晶圆代工厂

  韩国半导体大厂三星电子(Samsung)日昨在上海举办技术论坛,对外说明晶圆代工策略,同时宣示锁定争取大陆IC设计厂代工订单。三星指出,预计今年底 10纳米可以上线,7纳米制程将采用最先进的极紫外光(EUV)微影技术,并将针对物联网及汽车电子提供低功耗的28纳米全耗尽型绝缘层上覆矽(FD- SOI)制程。

  同时,三星原本只生产自有晶片的8寸晶圆厂,现在也将开放并争取类比IC或LCD驱动IC等晶圆代工订单。

  台湾晶圆代工厂台积电、联电、力晶等已分别以独资或合资方式,赴大陆兴建晶圆代工厂,三星电子在大陆的最大投资是西安的NAND Flash厂,并没有在大陆设立晶圆代工厂的计画。不过,三星选择在上海举行技术论坛,说明最新的晶圆代工策略,并宣示将争取大陆IC设计厂代工订单。

  事实上,随着大陆官方成立的中国国家集成电路产业发展基金(大基金)开始扩大投资,大陆半导体生产链持续扩大产能,产值也正在快速扩张,而大陆地区第二季 IC设计业销售额已经正式超越台湾,成为全球第二大IC设计产业群聚地,这也是为何全球晶圆代工厂都开始锁定大陆市场的原因。

  三星的晶圆代工晶圆厂主要有三个据点,包括位于韩国的8寸晶圆厂S1、位于美国德州的12寸晶圆厂S2、以及位于韩国Hwasung的12寸晶圆厂S3。另外,三星 也将与台积电一样,提供后段封测服务。而三星预估今年包含晶圆代工的逻辑制程月产能将达13.5~14万片12寸晶圆及19万片8寸晶圆,且预估至 2017年底产能将扩充约15%。

  随着台积电宣布今年底将量产10纳米制程,2018年开始量产7纳米制程,三星也在技术论坛中说明先进 制程布局,包括今年底可望开始进行10纳米投片,但将跳过采用浸润式微影技术的7纳米,直接推出采用EUV微影技术的7纳米,预计至2018年底EUV技 术可在250W光源下每天生产1,500片晶圆。三星认为,7纳米采用EUV可以拥有更好的成本架构,有助于争取先进制程晶圆代工订单。

  三星认为大陆市场在电子钱包、无人机、电动车、自驾车等供应链有很好的创新,也将带来新机会,所以除了支援先进制程,也将在明年第二季开始,提供可支援物联 网及汽车电子的28纳米FD-SOI制程。同时,三星也将开放8寸厂产能,配合本身在记忆体市场的优势提供65纳米嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程,以及70纳米高压制程,争取大陆市场类比IC、CMOS影像感测器、LCD驱动IC等代工订单。

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