电子组件和光学组件最终注定要合并,但在今年的光纤通讯展(OFC 2017)上却引发业界对于硅光子(SiP)或磷化铟(InP)谁才是最佳发展路径的论战。
协助为欧洲发展光子代工生态系统的学术研究人员率先以InP作为专题演讲。但几位分析师表示,SiP更可能成为最后的赢家。
相关各界均同意,越来越多的带宽需求将在未来五年内推动新的光电接口发展。其需求大约达到今年OFC展会上广泛展示的400G系统之后约两个世代,并预计将在2019年出量。
而在2020年左右出现的25.6-Tbits/s开关芯片将会需要光学接口,这是几位作者在去年出书讨论硅光子时所作的预测。网络资深人士Andreas Bechtolshiem则预测2021年时将会需要板载光组件,他在最近指出800G以太网络(Ethernet)或许是最后使用独立光模块的标准。
InP是一种极其适于整合的优质技术,特别是核心雷射光源,但它需要采用大量硅晶技术,才能将成本降低到相当于SiP的程度,Meint K. Smit在OFC的专题演讲上表示。
Smit表示,InP超越大多数技术领域 (来源:OFC)
荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technology)的InP专家Smit带领的欧盟计划至今已开发出350款InP组件了,其中包括来自多家公司的商用化产品,例如180-Gbit/s和320-Gbit/s的波分多任务发射器。
该计划汇集了代工厂、工具制造商和光子设计师。至今已经打造出经验证的光学组件库和InP制程设计套件,从而在多项目晶圆(MPW)上实现测试组件,并推动从4吋晶圆向6吋晶圆的进展。
然而,Smit坦承,SiP的成本较低,因为它拥有英特尔(Intel)等业者支持使用较大的8吋晶圆厂。他说:「目前正处于一种复杂的景象,并没有一种适用于全部的解决方案。.. [最后],InP、硅组件和SiP都可能共同运作。」
在欧洲生产的一些InP设计
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