Kilopass最新VLT技术，或改变DRAM产业格局

　　这几年国产芯片替代概念推动了国内半导体公司的加速发展。除了处理器芯片外，存储器的发展也得包括政府、市场资本、行业巨头厂商的高度关注。不过，受制于技术等原因，全球90%的DRAM市场份被三星、海力士和美光三家厂商占据。 现有DRAM的最关键技术是电容存储单元，它不仅带来了特有的制造挑战，还被大量专利所保护。

　　国内厂商想要有所突破，除了加大投入和研发外，一定程度也需要外力支持。近日，半导体嵌入式非易失性存储器（eNVM）知识产权（IP）产品领先提供商Kilopass 首席执行官Charlie Cheng 现身北京向媒体介绍公司的最新技术。

　　据了解， Kilopass科技有限公司是嵌入式非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）技术的领导者。其商业模式和在前一段时间软银拿数百亿美金收购的ARM一样，都是采用为芯片设计和制造公司提供作为设计单元组件的“知识产权”又称IP产品。

　　目前，Kilopass拥有专利的技术暨一次性可编程（OTP）NVM解决方案，拥有可扩展到各种先进CMOS工艺制程的无限容量，它们可被移植到每一家重要的代工厂和整合器件制造商（IDM），且满足了市场对更高的集成度、更高的密度、更低的成本、低功耗管理、更高的可靠性和更完善的安全性等方面的需求。

　　当前，Kilopass 的技术已被超过170家企业客户所采用，至今已累计售出100亿块包含Kilopass技术的芯片，涉及400多种芯片设计，应用范围涵盖了工业、汽车、消费电子产品、移动设备、模拟和混合信号以及物联网（IoT）等。

　　在此次会议上，Charlie Cheng 宣布推出其革命性的垂直分层晶闸管（VerTIcal Layered Thyristor， VLT）技术。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。

　　晶闸管是一种结构复杂的电子器件，在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。由于锁存的形成，这种结构非常适合存储器；与当前基于电容的DRAM相比，晶闸管内存不需要刷新。晶闸管于20世纪50年代被发明，之前人们曾屡次尝试将其应用于SRAM市场，但都未能成功。

　　Kilopass的VLT通过垂直方式实现晶闸管架构，从而使存储单元更加紧凑。紧凑的结构加上所需的物理器件，构造出制造工艺简单的交叉点内存，这将带来一项与DDR标准兼容，并且比当前顶尖的20纳米DRAM制造成本低45%的新技术。

　　此外，因为VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM将待机功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍将性能提高15%。最为关键的是，VLT避开了传统DRAM制造中最大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的专利冲突，这一点具有很重要的战略意义。

　　Kilopass首席执行官Charlie Cheng表示，“我们的VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术，运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品，这些产品在功耗和成本上将具有显著优势，同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。”

　　VLT存储单元的运行和器件测试已于2015年完成，测试结果与器件仿真系统TCAD具有优异的关联性。一块完整的内存测试芯片已于5月份成功流片，早期芯片测试正在进行当中。

　　供货方面，现在已可以向数量有限的特许受让人提供VLT DRAM技术，用于20nm到31nm工艺技术节点。Kilopass已使用其突破性的TCAD模拟器，在所有的半导体制造工艺细节上对这两个节点进行了详尽的模拟，新一代10nm技术的验证有望在2017年完成。