ASML与卡尔蔡司合作研发EUV光刻系统 2024年问世

ASML与卡尔蔡司合作研发EUV光刻系统 2024年问世,第1张

  半导体制造工艺是集成电路产业的核心,未来摩尔定律是否还能主宰产业发展就得看半导体工艺是否能在10nm以下的工艺继续突破了,而在这个问题上,荷兰ASML公司的EUV光刻机何时成熟就是个关键了。上周ASML公司宣布斥资20亿美元入股卡尔蔡司公司,双方将合作研发EUV光学系统, 只不过相关成品至少要到2024年才能问世。

  ASML与卡尔蔡司合作研发EUV光刻系统 2024年问世,第2张

  ASML公布的工艺路线图,EUV工艺将在7nm节点开始启用

  先说说ASML入股蔡司的——ASML公司将以现金11亿美元收购卡尔蔡司SMT子公司24.9%的股份,此外还将投入大笔研发资金,首笔一次性投入是2.44亿美元,之后6年将投入6亿美元,这次合作预计投入将近20亿美元,对ASML来说也是一大笔投入了。

  双方合作的成果就是将推出数值孔径NA不低于0.5的EUV光刻系统,不过这款产品离问世还早,至少要到2024年才能量产。当然,新一代光刻机的好处也很多,目前全球先进的半导体特征尺寸约为35nm,第一代EUV光刻机数值孔径是0.33,特征尺寸缩小到了13nm,而0.5倍数值孔径的EUV将把印刷尺寸进一步缩小到8nm。

  光刻机是半导体生产设备中非常重要的一部分,EUV关乎未来半导体工艺的发展,而这个重担落在了ASML公司身上,他们是全球最重要的光刻机厂商了,Intel三星、TSMC等晶圆公司的光刻机都是购买自ASML公司。

  ASML与卡尔蔡司合作研发EUV光刻系统 2024年问世,第3张

  ASML公司目前的EUV光刻机是NXE:3400B型号,预计明年出货,产能是每小时125片晶圆,公差不大于3nm。

  根据该公司公告,已经有四家逻辑芯片、两家存储芯片厂商预计会在2018年企业0.33孔径的EUV系统。

  未来的0.5倍孔径EUV系统产能将提高到每小时185片晶圆面,公差进一步减少到2nm,而在此之前ASML希望能把产能提升到每小时145片晶圆。

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