上述器件具有优异的电流模式控制功能和高速切换频率,并集成了高低端MOSFET,使得电路板空间较之其他方案缩小50%,从而减少了一些用于紧凑空间的设备的尺寸,例如井下钻孔设备。
TPS50601和TPS50301的主要特性与优势
· 峰值效率:一流的峰值效率,最高可达95%,相比竞争产品,能实现更低的热散逸。
· 设计灵活性:100-kHz到1-MHz的切换频率及优化的补偿方案使得设计者能在尺寸与效率之间找到最佳平衡点。
· 更小的电路板空间:更高的效率、优化的配置和动态偏差减少了输出电容器的尺寸和数量、提升了瞬时反应。功率达到每平方英寸12瓦以上,而与之最接近的竞争产品的功率为每平方英寸10瓦。
· 高可靠性:TPS50301可在高达+210摄氏度的高温下工作,而TPS50601可在高达 +125摄氏度的恶劣环境下工作,并且即将获得QMLV/RHA认证。
· 更高电流 *** 作:设计者可使用两个并联器件来使得输出电流加倍。
供货情况与封装
TPS50601和TPS50301现提供样品,采用20引脚的热增强型陶瓷双列直插式封装。
工具与支持
TPS50601由单/双配置EVM提供支持。双配置TPS50601SPEVM-D因对元件施加的压力更小,可实现高效率和高可靠性。单配置 TPS50601SPEVM-S采用分离式输入导电轨,支持功率级和控制电路专用的独立电压输入。
恶劣环境工程型号(EM)TPS50601HKHMPR是TPS50601的一种样本型号,用于恶劣环境用户的初始评估。该型号具备与TPS50601相同的功能和封装,但是成本更低,且仅用于评估。
TI还提供一款约1英寸x1英寸大小的小型参考设计。其具有优化配置、高效率,提供设计计算功能、瞬时反应以及有关设备设计和测试结果的信息。
TPS50601和TPS50301由TI的WEBENCH®在线设计工具提供支持,以简化和加速设计进程,可用于查看该两款器件的设计。同时还提供SPICE型号,以便对电路进行模拟和调试。
工程师们可通过TI E2E™社区的高可靠性论坛提问并获得相关信息。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)