TL431中基准补偿电路

TL431中基准补偿电路,第1张

  引言

  TL431是美国德洲仪器公司(TexasInstrument)开发的一个有良好热稳定性能的三端可调精密电压基准集成电路,它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref(2.5V)~36V范围内的任何值。目前是市场上应用比较广泛的一种稳压器件。其内部有一个带隙基准源,它的温度稳定性和基准的精准度将会影响到整个器件的性能,因此具有一个高性能的基准源对整个器件性能的影响非常大。

  1、温度补偿基准源

  TL431中基准补偿电路,TL431中基准补偿电路,第2张

  图1TL431原理图

  本电路中采用了一种比较精密的基准源(见图1),与传统的待隙基准电路相比较,该电路增加了非线性的温度补偿,这里的非线性包括指数曲率补偿和二阶补偿。如图2所示,为电路带曲率补偿的原理图。

 TL431中基准补偿电路,TL431中基准补偿电路,第3张

  图2曲率补偿基准源

  如图2所示,电阻R3和R2具有相同的电压值,其电阻值比例关系为:R3∶R2=3∶1,通过这两个电阻的电流分别是I3,I2,且其大小比值为1∶3。电阻R1的电流是电阻R3和R2中流过的电流之和:I1=IR+I2。

  其电路基准源表达式:

  Vref=Vbe1+Vbe3+I1R1+I2R2(1)

  根据KVL方程可以计算出电路中流过电阻R3的电流,又因为Ib=Ic/β,其中β是晶体管的电流增益:

  I3=βVTlnM/(R5+(β+1)R4)(2)

  式中:M是电路中Q3和Q4的发射区的面积比,根据I3可以求出电流I1和I2,最后得出基准电压的表达式为:

  TL431中基准补偿电路,TL431中基准补偿电路,第4张

  在上式中,Vbe和β均是关于温度的变量,其表达式如下:

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  式中:α,γ为与工艺相关但是与温度无关的常数;Vg0和Vbe硅的能隙电压和硅的基极发射极电压。将式(4),(5)带入式(1)中,得到基准电压关于温度的表达式:

  TL431中基准补偿电路,TL431中基准补偿电路,第6张

  式中:A,B是常数项;K1,K2可以由电阻调节得到,如上述公式,基准电压有3部分组成,常数项,一次项,非线性项,设线性项和非线性项分别为:

  TL431中基准补偿电路,TL431中基准补偿电路,第7张

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