德州仪器推出NexFET N沟道功率MOSFET实现业界最低电阻

　　2015年1月22日，北京讯。日前，德州仪器 （TI） 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。

　　CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大导通电阻，而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计，来进一步进行了解。

　　如下是TI 推出具有业界最低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE。

　　新型 NexFET 产品及主要特点

　　供货情况、封装和价格

　　目前，FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 产品可通过 TI 及其授权分销商批量采购。

　　关于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET

　　TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率计算、网络、工业和电源应用中的能量效率。此类高频、高效率的模拟功率 MOSFET 使得系统设计人员能够运用现有的最先进的DC/DC电源转换解决方案。