嗨,我的FET狂热爱好者同行们,欢迎回到“看懂MOSFET数据表”博客系列的第3部分!今天我们来谈一谈MOSFET电流额定值,以及它们是如何变得不真实的。好,也许一个比较好的解释就是这些额定值不是用确定RDS(ON) 和栅极电荷等参数的方法测量出来的,而是被计算出来的,并且有很多种不同的方法可以获得这些值。
例如,大多数部件中都有FET“封装电流额定值”,这个值同与周围环境无关,并且是硅芯片与塑料封装之间内在连接线的一个函数。超过这个值不会立即对FET造成损坏,而在这个限值以上长时间使用将开始减少器件的使用寿命。高于这个限值的故障机制包括但不限于线路融合、成型复合材料的热降解、以及电迁移应力所导致的问题。
然后是我们考虑的“芯片限值”,通常通过将外壳温度保持在25?C来指定。基本上,这个条件假定了一个理想的散热片,只使用结至外壳热阻来计算器件能够处理的最大功率(在下面的方程式1和2中显示)。换句话说,假定RθCase-to-Ambient 为零,这在应用中并不是一个很实用的条件,这样的话,最好将这个电流额定值视为表示器件RDS(ON) 和热阻抗的品质因数。
(1),
(2),
下面的图表1a和1b分别给出了CSD18536KCS和CSD18535KCS 60V TO-220 MOSFET数据表首页上出现的绝对最大额定值表。这两个器件的封装额定值均为200A,不过,由于CSD18536KCS具有更低的RDS(ON) 和热阻抗,它具有349A的更高芯片限值,这表明,在处理同样数量的连续电流时,它的运行温度应该比CSD18535KCS的工作温度低。不过,我们还是不建议将这两款器件长时间运行在电流超过200A的条件下。从FET的角度说,这就意味着任一超过100ms的电流脉冲;超过这个值的电流脉冲基本上就可以被视为DC脉冲。
图表1a:CSD18535KCS绝对最大额定值表
图表1b:CSD18536KCS绝对最大额定值表
某些QFN数据表还包括一个第3连续电流,计算方法与芯片限值的计算方法完全一样,不过,如表格下方的脚注所示,它是器件测得的RθJA 的函数。使用RθJA (对于一个标准的SON5x6封装来说,典型值为40?C/W)来计算最大功率的方法假定QFN在应用中只处理3W左右的功率。因此,对于未暴露于任何散热片或使用其它冷却机制的QFN器件来说,这个计算方法给出了更加实际的DC电流限值。
在“看懂MOSFET数据表”的第4部分,我将给出对于脉冲电流额定值,IDM,的相似分析,并且给出这个值与数据表中其它参数之间的关联关系,其中包括SOA。与此同时,请观看视频“NexFET™:世界上最低Rdson 80和100V TO-220 MOSFET”,并在下次设计中考虑使用TI的NexFET功率MOSFET产品。如需进一步了解FET热限制和电流,我强烈推荐由Manu撰写的两篇博文,“在电源工具中优化三相电机驱动的散热设计”的第1部分和第2部分。
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