元素周期表中能能用于制造半导体材料的元素有哪些

大多数类金属都可以。比较常见的有硅(Si)、锗(Ge)、镓(Ga)等。其中硅和锗一般使用其单质，而镓则使用其砷化物砷化镓(GaAs)作为半导体材料。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，禁带宽度是1.4电子伏。不过砷化镓也有不足之处，即其热稳定性不好，高温分解，限制了其普及运用。

痕量金属与痕量分析相对应，指物质中某金属含量万分之一。参考：

痕量分析 （trace analysis），物质中含量在万分之一以下的组合的分析方法 。痕量一词的含义随着痕量分析技术的发展而有所变化。痕量分析包括测定痕量元素在试样中的总浓度，和用探针技术测定痕量元素在试样中或试样表面的分布状况。一般分成3 个基本步骤：取样、样品预处理和测定。由于被测元素在样品中含量很低、分布很不均匀，特别是环境样品，往往随时间、空间变化波动很大，要充分注意取样的代表性和保证一定的样品量。为了增强对痕量成分的检出能力和除去基本干扰，痕量组分的分离与富集常常是必不可少的，有两种方案：一种是将主要组分从样品中分离出来，让痕量组分留在溶液中；另一种是将痕量组分分离出来而让主要组分留在溶液中。为了提高分离、富集效果，通常应用掩蔽技术。样品预处理的另一个目的是使痕量组分转变为最适宜于最后测量的形式。常用的分离 、富集方法有挥发 、沉淀和共沉淀 、电解、液-液萃取、离子交换、色谱、萃取色谱、电泳等。在分离、富集过程中对于污染和痕量组分的损失要予以充分注意。

测定痕量组分的方法，取决于被分析的对象和测定方法的灵敏度、准确度、精密度和选择性以及经济上的合理性。在从经典的比色法和分光光度法到各种近代的仪器分析等痕量分析方法中，较常用的方法有：①光学方法。包括分光光度法、原子发射光谱法、原子吸收分光光度法、原子荧光光谱法、分子荧光和磷光法、化学发光法、激光增强电离光谱法等。②电化学方法。包括极谱分析法、库仑分析法、电位法和计时电位法等。③X射线法。包括电子微探针法、X射线荧光光谱法等。④放射化学法。包括活化分析法、同位素稀释法、放射性标记分析法等。⑤质谱法。包括二次离子质谱分析、火花源固体质谱。⑥色谱法。包括气相色谱法、液相色谱法、离子色谱法等。

痕量分析主要应用于地球化学、材料科学、生物医学、环境科学、表面科学以及罪证分析等领域。

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