氧化亚铜晶体生长影响因素

氧化亚铜晶体生长影响因素有光照、电流密度、电位时间、电解液的组成。根据查询相关资料信息显示：氧化亚铜是一种对环境友善的P型半导体材料，具有许多优异的性质，影响氧化亚铜晶体生长的因素有光照、电流密度、电位时间和电解液的组成等因素。

设若用此方法生产72kg的氧化亚铜，则参与电解的水的质量是x

2Cu+H2O

通电  .

Cu2O+H2↑

    18        144

     x        72kg 

18

144

＝

x

72kg

x=9kg

答：若用此方法生产72kg的氧化亚铜，则参与电解的水的质量是9kg；

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