可靠性试验包括哪些？

可靠性试验一般是在产品的研发和生产阶段进行的，是对产品进行可靠性调查、分析和评价的一种手段。试验结果可为故障分析、研究采取的纠正措施、判断产品是否达到指标要求提供依据。

可靠性试验项目：

气候环境（温湿度类）：高温、低温、恒定湿热、交变湿热、温湿度组合循环、快速温变、冷热冲击、低气压（高度模拟）

气候环境（光照类）：UV紫外光试验、氙灯试验、金属卤素灯、碳弧灯。

机械环境：随机振动试验、正弦振动试验、共振搜寻与驻留、正弦+随机振动试验、随机+随机振动试验、机械冲击试验、碰撞试验、稳态加速度、跌落试验。

综合环境：温度+温度+振动、温度+温度+冲击、温度+度+碰撞、HALT/HASS/HASA、温度+温度+堆码、高压蒸煮

防护等级：IP防护(防水、防尘)、IK防护(外界机械碰撞防护)

生物及化学活性物质环境：盐雾试验、霉菌试验、气体腐蚀、耐化学试剂、人工汗液

物理性能：耐化学试剂，附着力/耐磨/划痕，硬度，拉伸/抗压/屈服强度，弯折/摇摆插拨/扭矩，落球冲击/摆锤冲击/冲击锤冲击，色牢度/色差，熔融指数/熔点，滚桶跌落/定向跌

落/微跌，按键寿命，反射率/透过率/吸收率

电性能：绝缘/耐压，接触电，接地电阻，温升，介电强度，静电ESD，晶体管V/曲线，噪声/音质，电/电容/电感测试，瞬断，充/放电

中科检测开展电子电器、半导体、汽车零部件等工业制品或材料的可靠性试验。

VB即反向崩溃电压，主要测试该产品在多大电压会崩溃，主要是考虑产品可以 *** 作在多大电压或多大电流

VF即顺向电压，给一个顺向电流测起两端电压，简单的可以说是为了测试产品焊线是否正常

IR即反向电流或漏电流，给一个反向电压测其电流，漏电流应该很小才合理，一般是nA等级

TRR这个我没有用到过，不好意思

望采纳

可靠性，英文为Reliability，从字面意思很容易理解，我们一般说“可靠的”，是指“可信赖的”，可靠性即可靠的性质和程度，就是指产品在使用时用户是否可以信赖它，它可以正常、准确、稳定地发挥其功能和性能的能力和程度有多高。

集成电路被喻为电子产品的大脑和心脏、国家的工业粮食、现代信息社会的基石，可见其可靠性尤为重要。半导体集成电路由于其材料的特性和器件结构、生产工艺上的特点，存在一些特有的物理效应，并在一定的条件下发生作用，可能会改变集成电路内部的形态和参数，从而使产品失效。其主要失效原理有：电迁移效应、静电放电、过电损伤、热载流子效应、闩锁效应、介质击穿、α辐射软误差效应。另外在经过贮存、使用一段时间后，在各种环境因素（如温度、湿度、机械、射线）和工作应力（电流、电压、时间、频率）的作用下，某些电性能参数将逐渐发生变化，出现如温漂、时漂等失效，或者封装质量直接影响到半导体芯片的可靠性，比如管脚易焊性差或者锈蚀导致的接触不良。

集成电路的可靠性可以分为可靠性设计、可靠性测试，目前都已经积累了很丰富的经验和技术规范。对于目前应用最广的CMOS集成电路来说，由于CMOS器件的P管和N管与衬底之间存在多个PN结，而两个背靠背的P-N结就构成了一个双极型的晶体三极管，这些晶体管并非人们想要的，不希望它们介入正常功能所需的电路中，称之为寄生器件。但在芯片使用过程中，可能会产生条件，使这些寄生晶体管被触发导通，在电源和地之间形成一个低阻通路，产生大电流，导致电路无法工作，甚至烧毁电路。这就是CMOS电路固有的Latch-up效应（ 闩锁效应）。 可靠性测试则是在芯片生产后，在封装前后对集成电路本身和芯片整体进行测试，来检验其是否存在故障、失效概率有多大、可靠程度有多高，从而指导芯片应用和进行下一版设计优化。可靠性测试有很多种，有成熟的测试标准、测试方法和设备，下面选取列出部分业内常用的测试项和参考的标准。其中GJB是中国的军工标准，JESD是JEDEC固体技术协会（美国电子工业协会内辖的一个组织，后独立为固体电子行业的一个协会）发布的标准。例如闩锁测试可以按照JESD78D标准来进行，其中建立了一套定义闩锁特性和失效等级的测试方法，适用于NMOS、CMOS、双极电路以及这几种电路的组合。

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