理想终于不缺“芯”了

投中网获悉，日前，理想 汽车 投资成立了一家半导体公司。

这家半导体公司叫苏州斯科半导体，由理想 汽车 关联公司——北京车和家 汽车 科技 有限公司与湖南三安半导体有限责任公司共同持股，注册资本3亿元。该公司的法定代表人是许勇辉，经营范围含电力电子元器件、半导体分立器件制造销售；电子元器件制造等。

这是理想 汽车 布局SiC芯片的一个重要举动。在全球缺芯潮愈演愈烈的情形下，芯片已是新能源 汽车 的兵家必争之地，SiC芯片又在新能源车企中占据什么样的地位？

竞争之地，各家车企纷纷角逐。不仅是理想 汽车 ，前有特斯拉作为先行者，后有小鹏、蔚来、上汽、一汽、丰田、本田等，车企们都不愿在此处落后。

意在何处

这是理想 汽车 风险最小的选择。

此前，据国家市场监督管理总局反垄断司官网中经营者集中简易案件公式披露，车和家与三安半导体设立合资公司，车和家持股比例70%，三安半导体持股比例30%。

三安半导体是什么来头？它主要从事SiC衬底、外延、芯片相关半导体材料的研发、生产和销售业务，背后是三安光电股份有限公司（简称：三安光电）100%的控股子公司，后者是中国最大的LED外延片和芯片制造商，已在国内主板上市。

由此推测，理想 汽车 与三安半导体此次设立合资公司是为了联手布局车用SiC芯片、模块市场。

什么是车用SiC芯片？它在新能源 汽车 中又占据什么样的地位？

SiC芯片指碳化硅，明确来讲，它是新一代半导体——第三代化合物半导体的重要基础材料，是第三代半导体产业的关键。部分西方发达国家对中国实施严格禁运，也制约了国内半导体行业的发展，这样一来，我国实现国产替代的需求越来越旺盛。

碳化硅功率器件的特点是——耐高压、耐高温、低损耗等性能，可以有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化等需求，在新能源 汽车 、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域有明显优势。

用在新能源 汽车 身上呢？

相比传统Si材料，SiC材料可以帮助新能源 汽车 延长续航里程、缩短充电时间。新能源 汽车 比传统燃油 汽车 对半导体元器件功率的要求更高，用量也要多出几倍。

通用 汽车 公司副总裁希尔潘·阿明说：“电动 汽车 用户正追求更长的续航里程，我们把碳化硅视为电力电子设计中的一种重要材料。”

广汽埃安新能源 汽车 有限公司技术中心经理湛绍新也说过：“功率半导体是新能源 汽车 有别于传统燃油车的重要零部件，每台电动车大约需要配备90-100个，如果是四驱系统则需求量还要再增加50%，功率半导体在整车半导体中的价值量占比约60%。而碳化硅主打的性能就是高压和高频，进而衍生出耐高温和大功率的特点，对于整车来说可以提高能量转换效率以及使系统体积小型化。”

还有一点，每辆新能源 汽车 使用的功率器件价值约在700美元到1000美元。使用碳化硅衬底材料，可以为新能源 汽车 节省大量成本。

三安光电作为龙头企业，理想与它合作成立合资公司，必然有更强的溢价能力，成本更低，风险更低，效率还有保证。最重要的，是可以保证未来理想 汽车 上源源不断的用量。

理想 汽车 创始人、董事长兼CEO李想曾说，碳化硅电驱系统是理想 汽车 高压纯电平台的四个核心技术之一。看来，李想重视SiC芯片在理想车型上的应用，大有势在必行之势。

纵观整个新能源车企市场，不仅理想在加速布局，其他车企，哪一个不在此地加速竞争？

用力角逐

全球缺芯潮不断蔓延，各种原材料短缺的问题一直存在。各车企玩家们为了提前应对这些难题，只有各出奇招。

归根结底，SiC器件非常适合用于电动 汽车 的电源设计，车企们又怎么不会惦记这个香饽饽？

据估算，仅SiC电机控制器功能安全产品的未来需求产值就达到一年2亿元。

严格意义上，从发展 历史 上讲，特斯拉依然是碳化硅芯片使用的先行者。自特斯拉之后，各家车企纷纷下场。

2016年4月，特斯拉打响了SiC MOSFET的第一q，至此，SiC不仅成为半导体厂商激烈涌进的热门赛道，同时也在加速进入 汽车 。

2018年，特斯拉在Model 3中首次将IGBT模块换成了碳化硅模块。使用下来，在相同功率等级下，碳化硅模块的封装尺寸明显小于硅模块，并且开关损耗降低了75％。换算下来，系统效率可以提高5％左右。

之后，特斯拉推出的Model Y的动力模块后轮驱动也采用SiC MOSFET。2021年6月11日发布的新款Model S Plaid，成为全球最快的量产车型，其逆变器继续采用碳化硅技术。

特斯拉Model 3的成功，在 汽车 与芯片行业掀起轩然大波，也催生了一系列对SiC芯片的应用和开发。

就这样，比亚迪、蔚来、小鹏、理想、北汽新能源、上汽、丰田、本田、现代、长城、吉利、广汽、一汽、奇瑞等纷纷在自家车型上实践SiC产品。

市场好不热闹，有自建生产线的，有运用投资方式的，还有像理想这样成立合资公司的。

在自建生产线这条路上，比亚迪走得比较早。

2020年底，比亚迪宣布自研碳化硅芯片，它在2021年5月扩建了模块生产线。2021年8月11日，比亚迪汉的第100000辆新车的电机控制器首次使用它自主研发制造的高性能碳化硅功率模块。

蔚来也采用了自研的办法。2021年10月的消息，将自研一条SiC功率模块实验线，新增若干测试设备。

除了自研的方式，车企们最常用的方式还是投资。

值得一提的是，上汽、小鹏等投资SiC衬底龙头天岳先进，2022年初，天岳先进已在科创板上市，成为碳化硅首家上市公司，更是此产业中的龙头企业。

北汽投资的北京安鹏行远新能源产业投资中心（有限合伙）也投资了SiC半导体企业上海瞻芯电子 科技 。瞻芯电子主要提供的是以SiC功率器件、SiC驱动芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。

2021年11月30日，上汽集团与旗下市场化私募股权投资平台尚颀资本共同出资5亿元，完成对国内领先车规级芯片及SiC功率器件生产企业积塔半导体的A轮投资。

值得一提的是，在2021年初，尚颀资本还参与投资了上海瀚薪，布局SiC赛道。上海瀚薪 科技 是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高 科技 企业。

当然，还有像理想一样成立合资公司的。

2021年5月18日，一汽集团合资企业苏州亿马半导体的碳化硅模块项目正式投产，一期投资 2 亿元。

还有吉利 汽车 ，2021年5月，吉利与芯聚能半导体、芯合 科技 等，合资成立了广东芯粤能半导体有限公司，以布局车规级功率半导体。芯粤能位于广州市南沙，是一家面向车规级和工控领域的SiC芯片制造和研发的芯片代工公司。

很快，SiC成为群雄逐鹿之地，布局者们覆盖了 汽车 产业和半导体产业的所有环节。

而理想此次的选择，也早有征兆，与龙头企业成立合资公司是它在SiC这一兵家必争之地的一个重要选项。很显然，安全、合理、有保障。(文/李彤炜 来源/投中网)

半导体(Semiconductor)是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料。

从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

硅基半导体自旋量子比特以其长量子退相干时间和高 *** 控保真度，以及与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展性，成为量子计算研究的核心方向之一。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

扩展资料：

人物贡献:

1、英国科学家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料。

硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花；

然而，今天我们已经知道，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加，但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。

2、德国的布劳恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

但直到1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，德国的萧特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在这方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

另一方面，德国人佩尔斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 于1929年，则指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；

他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

参考资料来源：百度百科-半导体

---