RTO的发展分类

RTO技术的发明给VOCs直接焚烧技术(TO,Thermal Oxidizer)带来了新的探索方向，而RTO基本的蓄热焚烧原理决定早期出现的形式为两床式RTO。RTO技术通过蓄热体的蓄热作用极大减少了VOCs升温过程中的能耗，能够为客户带来客观的经济效益。RTO技术经过30多年的发展，经历了三次技术迭代，从早期的两床式RTO、三床式RTO发展到旋转翼RTO。

两床式RTO的一个蓄热室通过VOCs废气进行氧化焚烧，另一个蓄热室通过分解后的高温净化空气，将燃烧热留在蓄热体内，净化空气降温后经烟囱排出。两个蓄热室的蓄热和放热功能交替通过4个互锁高温切换阀实现。两床式RTO能够有效的净化VOCs废气同时降低系统外部能耗，但是其结构简单，阀组切换废气流向时易将蓄热室底层未充分分解的VOCs废气带出蓄热室，影响净化效率。

目前在VOCs处理业界，国内外厂商通常采用的是三床式RTO，该产品在两床式RTO基础上增加了吹扫功能。在三床式RTO阀组切换时，原来通过VOCs废气的蓄热室由吹扫风机送入大量洁净空气，将残余VOCs废气吹入氧化室进行氧化分解。因此，三床式RTO较两床式RTO在净化效率方面有明显的提升。

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半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分，在工艺过程中，这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。其废气的主体是VOCs，同时废气中还混合了HCl、氨、HF等危险污染物，分离和处理难度比较大。

半导体酸废气处理方法

半导体酸废气处理通常采用碱液体喷淋法，又称化学洗涤法。因液体自身具有的溶解特性，可以更好地捕捉沉降，溶解去除污染物，而达到大气排放标准，故喷淋法是半导体行业酸碱废气治理普遍采用的主要处理方法。

新材料行业半导体废气处理的方法

RTO蓄热式焚烧炉设备，简称“RTO设备”，是采用高温破坏焚烧的废气治理技术。采用的升温能源一般是电和天然气，虽然采用高温700℃的温度进行废气处理，但其实消耗的能源并不多，这是因为设备能够将热能回收利用，大大降低能量消耗的同时提高了废气分子的燃烧反应速率。设备的主体由燃烧室、陶瓷填料床和转换阀等构成。设备的净化效率也维持稳定在99%以上。

半导体行业废气处理方法以及对比

半导体行业有机废气处理方法，通常先用沸石转轮对VOCs进行吸附浓缩之后，再用直接燃烧法进行销毁，废气净化率达到97%以上。

直接燃烧又称为直接火焰燃烧，它是把VOCs可燃组分直接烧掉，因此该方法适用于净化可燃有害组分浓度较高的废气，或者净化有害组分燃烧时热值较高的废气；多种可燃气体或多种溶剂蒸气混合在废气中，只要浓度值适宜，也可以直接燃烧。如果可燃组分的浓度高于燃烧上限，可以混入空气后燃烧；如果可燃组分的浓度低于燃烧下限，则可以加入一定数量的辅助燃料如天然气等，维持燃烧。

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