半导体器件大神帮解答下

1、电容的物理意义是电荷随电压的变化量，对于扩散电容，电压引起的电荷变化主要来自于非平衡少子的注入，与产生复合无关，也就与少子寿命无关。所以选第三项

2、扩散电容充放电的过程即非平衡载流子渡过基区的过程，可见充放电的时间就是渡越时间，选第一项

3、发射结注入效率等于1-发射区方阻除以基区方阻，共射极电流放大倍数等于100，从以上两个条件可以得到基区输运因子0.995，基区输运因子等于1-基区渡越时间除以基区少子寿命，最终计算结果为第三个选项

4、没明白题目到底想问啥。

5、共射极电流放大倍数等于分子（基区输运因子乘以发射结注入效率）除以分母（1-基区输运因子乘以发射结注入效率），计算结果是44，选第一项。

6、根据爱因斯坦关系，由于电子的迁移率大于空穴的迁移率，电子的扩散系数大于空穴的扩散系数。在相同的浓度梯度下（材料掺杂和偏置电压相同），显然电子的扩散电流要大于空穴的扩散电流对于PNP管。发射区的扩散电流是电子扩散电流，可见PNP管的发射结注入效率比NPN管低。扩散系数大的电子在基区的渡越时间比较短，基区输运因子等于1-基区渡越时间除以基区少子寿命，可见NPN管的基区输运因子大于PNP管，选第三项。

按异质结数目：单异质结晶体管（SHBT）---只有发射结为异质结的HBT 双异质结晶体管（DHBT）---发射结合集电结均为异质结的HBT 按发射结和基区结构： 突变发射结HBT缓变发射结HBT突发发射结缓变基区HBT缓变发射结缓变基区HBT2、工作原理 同质结双极管存在的主要问题：为提高电流增益，要求发射区重掺杂、基区轻掺杂，与为提高频率，又要求减小发射结电容、减少基区电阻而互相矛盾。为了解决该矛盾的根本途径是采用宽带隙半导体材料作成发射区，窄带隙材料作基区。由于降低了电子从发射区注入到基区的势垒，同时提高了空穴由基区向发射区反注入的势垒，提高了注入效率，进一步提高了电流增益，使器件在保持较高电流增益的条件下，提高晶体管的速度和工作频率。 3、特点 HBT与结构相近的同质结晶体管相比，具有以下特点：特征频率fT高；最高振荡频率fmax高；厄利（Early）电压较高（因基区掺杂浓度高，耗尽区不易在基区内扩展）；基区穿通电压较高；当输出功率大导热差时，Ic-UCE特性常出现负阻效应。

费米衡量电子占有能级的几率问题，在其下几率大于二分之一，其上小于二分之一。费米能级由材料决定，掺杂为p型，费米靠近价带，n型相反。费米影响功函数，费米大，功函数小，则电流注入效率高。费米与温度有个曲线的，貌似，温度越高，高于费米的占有率更快逼近1，低于的逼近0，没有图，就是个z字形（z拉成直角）的曲线，高于费米的都是1，温度无限高的情况。

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