1、在无磁场辅助条件下,以 28 英寸小热场高良率成长出 16 英寸以上(晶向指数 100)的超大直径单晶体;
2、实现量产 70-80ohm/cm 超窄电阻率、高面内均匀性的 18 英寸单晶体;
3、为满足国际知名半导体厂商产品需求,公司率先实现 19 英寸(晶向指数
100)单晶体量产,为进一步量产 22 英寸以上超大直径单晶体奠定了坚实基础;
4、为满足国际知名半导体厂商产品需求,公司成功研发业内首批 17 英寸(晶向指数 111)硅单晶体;
5、成功研发在无磁场辅助下芯片用的 8 英寸晶体的低缺陷成长技术,为下一阶段研发及量产芯片用 12 英寸低缺陷晶体打下良好基础。
锦州神工半导体股份有限公司是2013-07-24在辽宁省锦州市太和区注册成立的股份有限公司(台港澳与境内合资、未上市),注册地址位于锦州市太和区解放西路94号。
锦州神工半导体股份有限公司的统一社会信用代码/注册号是912107000721599341,企业法人潘连胜,目前企业处于开业状态。
锦州神工半导体股份有限公司的经营范围是:生产、销售半导体级硅制品。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。)。在辽宁省,相近经营范围的公司总注册资本为18230万元,主要资本集中在 5000万以上 规模的企业中,共2家。本省范围内,当前企业的注册资本属于优秀。
锦州神工半导体股份有限公司对外投资3家公司,具有0处分支机构。
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