神工股份自主研发的技术成果有哪些，可以帮忙列举下吗？

1.在无磁场辅助条件下，以 28 英寸小热场高良率成长出 16 英寸以上（晶向指数 100）的超大直径单晶体；2.实现量产 70-80ohm/cm 超窄电阻率、高面内均匀性的 18 英寸单晶体；3.为满足国际知名半导体厂商产品需求，神工股份率先实现 19 英寸（晶向指数100）单晶体量产，为进一步量产 22 英寸以上超大直径单晶体奠定了坚实基础；4.为满足国际知名半导体厂商产品需求，神工股份成功研发业内首批 17 英寸（晶向指数 111）硅单晶体；5.成功研发在无磁场辅助下芯片用的 8 英寸晶体的低缺陷成长技术，为下一阶段研发及量产芯片用 12 英寸低缺陷晶体打下良好基础。

神工股份拥有专业的研发团队，核心技术人员具有多年的超大直径硅晶体、轻掺低点缺陷硅片、硅片精密加工的一线研发和生产经验。基于材料行业的特点，研发团队从公司创立开始即和生产团队紧密配合，取得了如下业内领先的成果：

1、在无磁场辅助条件下，以 28 英寸小热场高良率成长出 16 英寸以上（晶向指数 100）的超大直径单晶体；

2、实现量产 70-80ohm/cm 超窄电阻率、高面内均匀性的 18 英寸单晶体；

3、为满足国际知名半导体厂商产品需求，公司率先实现 19 英寸（晶向指数

100）单晶体量产，为进一步量产 22 英寸以上超大直径单晶体奠定了坚实基础；

4、为满足国际知名半导体厂商产品需求，公司成功研发业内首批 17 英寸（晶向指数 111）硅单晶体；

5、成功研发在无磁场辅助下芯片用的 8 英寸晶体的低缺陷成长技术，为下一阶段研发及量产芯片用 12 英寸低缺陷晶体打下良好基础。

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