导体、半导体和绝缘体的电阻随温度的变化如何变化？

多数导体的电阻随温度的升高电阻增大，绝缘体的电阻极高，对温度的变化不明显。半导体的电阻对温度变化很敏感，因此常用于热敏电阻的制造，热敏电阻根据材料不同可以是正温度系数，也可以是负温度系数。

用一定的直流电压对被测材料加压时，被测材料上的电流不是瞬时达到稳定值的，而是有一衰减过程。

在加压的同时，流过较大的充电电流，接着是比较长时间缓慢减小的吸收电流，最后达到比较平稳的电导电流。被测电阻值越高，达到平衡的时间则越长。

扩展资料：

测量时为了正确读取被测电阻值，应在稳定后读取数值。在通信电缆绝缘电阻测试方法中规定，在充电1分钟后读数，即为电缆的绝缘实测值。

但是在实际上，此方法有些不妥，因为直流电压对被测材料加压时，被测材料上的电流是电容电流，既然是电容电流，就与电缆的电容大小有关。

电容大需要充电的时间就长，特别是油膏填充电缆，就需要的时间要长一些。所以同一类型的电缆，由于长度不一样，及电容大小不一样，充电时间为一分钟时读数显然是不科学，还需进一步研究和探讨。

你这个“一般情况”说的不清楚。对于半导体的电阻率对温度变化的性质，要分两种情况讨论。第一，本征半导体，载流子全部由自身产生，温度升高，载流子浓度增加，电导率提升，电阻率下降；第二，杂质半导体，这个要结合本征激发和杂质电离综合讨论，还要考虑温度升高对晶格散射的影响，只能结合实例分析。你找到的第二个应该可以参考硅基半导体掺杂后电阻率随温度变化的情况，可以翻一翻刘恩科的《半导体物理》，讲的很清楚。

上面的说的不完整，补充如下：

对于本征半导体，本征激发起决定性因素，所以T升高，电阻下降；

对于杂质半导体，在温度很低时，本征电离可忽略，T升高，杂质电离的载流子越来越多，电阻下降

进入室温区，杂质已经全部电离，而本征激发还不重要，T升高，晶格震动散射加剧，电阻升高。

高温区，本征激发起主要作用，T升高，本征激发明显，电阻下降。

总的趋势是先降再升最后降

zxz026说的对，现在不搞材料，大学里好多东西都忘了。

以半导体热敏电阻为例，负温度系数的热敏电阻原理基本上就是上面说的。

还有一种正温度系数的热敏电阻，主要是钛酸钡陶瓷，120度（居里温度）之后，电阻随温度升高急剧升高，机理比较复杂，你可以看看半导体陶瓷材料方面的书。

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