ss115二极管参数

反向峰值电压，工作温度。ss115二极管又称肖特基势垒二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。参数包括：

1、反向峰值电压（最大值）：150V。

2、工作温度：-55~+150℃等。

（1）

热敏性

半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。

（2）

光电特性

很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。

另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。

（3）

搀杂特性

纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

集电极-基极电压Vcbo：-40V，工作温度：-55℃ to +150℃，最大集电极电流为1.5 A。直流电增益：10 to 60；功耗:625 mW；最大集电极发射电压（VCEO）：25；频率：150MHz。

三极管8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。最大集电极电流为1.5 A。1脚=E（发射极，带箭头的那个），2脚=B（基极），3脚=C（集电极）。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

扩展资料

特征频率为当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率．

电压/电流，用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。VCEO为集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。

参考资料来源：百度百科-三极管8550

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