p-podyimp是什么意思在半导体中

p-podyimp是什么意思在半导体中:

imp是半导体工艺，imp全写是P-ESDIMP。

P-ESDIMP工艺流程是在有源区重掺杂之后增加一道P-ESDIMP，P-ESDIMP的目的是把中等浓度的硼(P型)通过离子注入的方式掺杂到NMOS漏端N+扩散区正下方与PW交界面，从而降低NMOS漏端与PW的击穿电压。

例如在一0.18μm的工艺中，可把原先约10V的接面击穿电压降低到约8V。当ESD现象发生在该NMOS器件的漏极时，漏端接触孔下面的PN结首先击穿，静电放电电流便会先由该PN结接面泄放掉，因此该NMOS器件漏极端的LDD结构不会因静电尖端放电的现象而被静电损伤，达到提高它的ESD保护能力。

利用P型的P-ESDIMP工艺技术制造的ESDNMOS仍可保留LDD结构，因此该ESDNMOS器件仍可使用较短沟道长度，它的SPICE参数跟传统的NMOS器件类似，除了击穿电压不同之外，不必另外抽取这种ESDNMOS器件的SPICE参数。

离子植入。IMP是半导体行业里面IMPLANT的缩写， IMP是稳定且易于 *** 作的企业信息化管理平台，程序及数据库集中运行于服务器，工作站无需安装任何程序，利用IE浏览器即可登录使用本平台。因此半导体imp是离子植入部门。半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

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