硅(Si)材料中离子注入硼或者硼源高温炉管参杂低浓度。比如1e14,这时候为p型半导体,再对该材料子注入磷或或者磷源(如PH3,POCl3)高温炉管参杂高浓度,比如5e14,这时候该材料转为N型半导体。
通过注入、气态源、液态源、固态源扩散进行掺杂可获得N型或P型半导体,例如,掺入硼可得到P型,掺入磷或砷可得到N型。
比如硅材料中参入3价元素杂质(如硼),杂质原子贡献一个空穴,使得原本征半导体成为P型半导体,参入5价元素(如砷)可使得杂质原子贡献1个自由价电子,使得原本征半导体成为N型半导体。
扩展资料:
在一定温度下,电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时本征半导体具有一定的载流子浓度,从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发,从而产生更多的电子-空穴对,这时载流子浓度增加,电导率增加。
半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小,载流子浓度对温度变化敏感,所以很难对半导体特性进行控制,因此实际应用不多。
参考资料来源:百度百科-本征半导体
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