关于太阳能电池板生产工艺和设备的一些问题

我将尝试尽我所能的一一解答以上各个问题：

1、“扩散炉”顾名思义就是用来扩散的炉子，在晶体硅太阳能电池的生产制造行业中，自然是用于对硅基片的扩散掺杂，制备P-N结结构。至于硅片的热氧化，只不过是扩散掺杂技术工艺的一个中间过程，是为了提高扩散工艺的稳定性和均匀性而设计的。但是一般氧化层厚度极薄，与半导体晶圆工艺制程中的氧化完全不同，因此这里经过热氧化的硅片只是中间的一个状态，一般并不单独作为一个工艺单元。

2、“炉管”即“TUBE”，显然只有管式炉才有炉管只称谓，板式则称为“腔”。除了扩散炉，PECVD也有管式设备，基本上和扩散炉的炉管是同一个概念。

——另外，国产PECVD以管式居多。

尝试着回答一下 我是做12寸的，可能和6寸有所不同。你们的淀积步骤的控压是闭环控制的，对么？设定压力250，上下限分别为250+/-37? 有反复测试过通N2的时候能控压吗？ 根据你所描述的现象，可以怀疑一下几点：1.真空泵有问题，抽气能力不稳定。2. 压力控制器有信号干扰,或者是信号线有松动。3. 压力表不稳定，或者是压力表前端管路有堵塞。

前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。

湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高，仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化，还需要进行综合评估，以解决多步骤的问题。

扩展资料：

这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。

新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料，它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。

参考资料来源：百度百科-后道工序

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-前道工艺

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