飞兆半导体公司"叛逆八徒"

1955年，“晶体管之父”威廉·肖克利(William Bradford Shockley)离开贝尔实验室，创建肖克利半导体实验室(Shockley Semiconductor Laboratory)。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快，肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职，他们是罗伯特·诺伊斯(Robert Noyce)、高登·摩尔(Gordon Moore)、朱利亚斯·布兰克(Julius Blank)、尤金·克莱尔(Eugene Kleiner)、金·赫尔尼(Jean Hoerni)、杰·拉斯特(Jay Last)、谢尔顿·罗伯茨(Sheldon Roberts)和维克多·格里尼克(Victor Grinich)。后来他们被肖克利称为“八叛逆”。八人接受位于纽约的“仙童摄影器材公司”(Fairchild Camera and Instrument)的资助，于1957年创办了飞兆半导体公司。

15n120参数及代换无保险。FGA15N120是采用飞兆半导体专有的沟槽设计和先进的NPT技术， 耐压值1200V的NPT型IGBT管，是电磁炉中常用的IGBT管之一。其基本参数为25℃下Ic=30A，Vces=1200V，电磁炉更换IGBT管功率相同Ic大于15A耐压值为1200V的即可。

应该是仙童半导体公司（Fairchild Semiconductor），也译作飞兆半导体公司。这家公司曾经是世界上最大、最富创新精神和最令人振奋的半导体生产企业，为硅谷的成长奠定了基础。更重要的是，这家公司还为硅谷孕育了成千上万的技术人才和管理人才，它不愧是电子、电脑业界的“西点军校”，是名副其实的“人才摇篮”。1955年子～57年由8位年龄未满30的年轻人组成仙童半导体公司主要研制半导体材料。早在1962年，仙童半导体公司就在缅因州建立研制和制造晶体管的生产线，主要研制和生产半导体存储器。

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