求问各位半导体 微电子 以及封装方面的大神！总是在书上看到层间电介质 （ILD)这个东西到底是什么啊？

这是纯微电子的东西，跟PCB没半毛钱关系。

芯片上不同MOS管之间是靠金属或者多晶硅互联的，越是复杂的芯片，这个互连线越是不可能在一层之内布完，于是就有好几层互连线，不同层互连线之间就要有ILD来隔离并支撑。

任意两根导线之间都有电容，ILD介质介电常数比较高，导线比较宽，距离比较近的时候层间电容就有比较大影响。

ILD有4个涵义:

1.注入型激光二级管(Injection laser Diode)

又称p-n junction laser，半导体结型二极管激光器。是较成熟、较常用的一类半导体激光器，于1962年首次研制成功。

它的主体是一个正向偏置的p-n结，当电流密度超过阈值时，注入载流子（电子和空穴）在p-n结结区通过受激辐射复合，产生激光。其工作特性和输出特性受温度影响极大，故备有冷却系统。最早的同质结型砷化镓（GaAs）半导体激光器，在一块经过加工的砷化镓单晶体的上、下两面上（p型与n型砷化镓）分别焊上电极，组成谐振腔的两端面要平行，并经过研磨抛光，甚至涂膜，以增加反射，也可以直接利用平行的平坦晶面（自然解理面）组成谐振腔。砷化镓的折射率约为3.6，在半导体与空气的分界面上反射率高于30%，因此，它可提供光反馈作用，使激光振荡能够产生，激光波长约为9040Å。

可用在雷达、计算机及通信系统中，或用作视频唱片和声频唱片的光源，它在超高分辨率光谱学、集成光学以及军事等方面有着广泛的应用。

2.指示逻辑图表(instructional logic diagram)

3.德语 Ich Liebe Dich（I Love You，我爱你） 的缩写

4.间质性肺疾病（interstitial lung disease）

间质性肺疾病（ILD）是以弥漫性肺实质、肺泡炎症和间质纤维化为病理基本病变，以活动性呼吸困难、X线胸片弥漫性浸润阴影、限制性通气障碍、弥散（DLCO）功能降低和低氧血症为临床表现的不同种类疾病群构成的临床-病理实体的总称。

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