passivation层的作用

passivation层的作用是保护M2，防止其发生氧化。

passivation层材料是二氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，及磷硅玻璃。

在半导体制作工艺中，为保护集成电路免于遭到外界环境的影响，例如水气，外来杂质，及机械性的伤害，通常会在集成电路的上方沉积保护层。

passivation层基本信息

金属钝化理论认为，钝化是由于表面生成覆盖性良好的致密的钝化膜。大多数钝化膜是由金属氧化物组成，故称氧化膜。

在半导体器件的制造上，氧化膜具有极为重要的作用。其被利用为mos晶体管的棚级氧化膜、pn接合部的保护膜、杂质扩散的光罩。制造氧化膜的代表例有：热氧化法及气相成长法。

一些还原性阴离子，对氧化膜破坏作用较大。为了得到厚的致密的氧化膜，常采用化学或电化学处理。

氧化物半导体是通常容易成为绝缘体的氧化物，但却具有半导体的性质。在众多物质当中，最受关注的是“透明非晶氧化物半导体（TAOS：Transparent Amorphous Oxide Semiconductors）”。非晶IGZO（In-Ga-Zn-O）就是一个代表性例子。除了三星和LG显示器等韩国企业外，日本的夏普、凸版印刷以及佳能等企业也在致力于TFT的应用开发。

TAOS类TFT的载流子迁移率高达250px2/Vs以上，特性不均现象也较小。因此，可驱动像素为“4K×2K”（4000×2000像素级）、驱动频率为240Hz的新一代高清晰液晶显示器。当前的标准技术——非晶硅类TFT以及作为新一代技术而被大力开发的有机半导体TFT因载流子迁移率只有数cm2/Vs以下，很难应用到上述用途中。即使是在有机EL显示器领域，与开发案例较多的低温多晶硅类TFT相比，实现大屏幕化时还是TAOS类TFT具有优势这是因为AOS类TFT可以抑制有机EL面板中存在着的因TFT特性不均而导致的显示不均现象。TAOS薄膜可通过溅射法形成，制造成本也容易降低。