怎样用MS算光学带隙

对于半导体材料，其光学带隙和吸收系数之间的关系式为

αhν=B(hν-Eg)m 

其中 α 为摩尔吸收系数,h 为普朗克常数， ν 为入射光子频率， B 为比例常数， Eg为半导体材料的光学带隙， m 的值与半导体材料以及跃迁类型相关：

（ 1） 当 m=1/2 时，对应直接带隙半导体允许的偶极跃迁；

（ 2） 当 m=3/2 时，对应直接带隙半导体禁戒的偶极跃迁；

（ 3） 当 m=2 时，对应间接带隙半导体允许的跃迁；

（ 4） 当 m=3 时，对应间接带隙半导体禁戒的跃迁。

任意代替宽度公式，代入相应公式自行计算。具体如下：

(α hν)1/m=B(hν-Eg)

直接带隙：m=1/2

间接带隙：m=2

α为吸收系数，B为常数，hν为光子能量，h 为普朗克常数=4.1356676969×10-15 eV·s，ν 为入射光子频率，Eg表示半导体禁带宽度(带隙)α=2.303*A/d 一般情况下，d为比色皿厚度、

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。

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