2、晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点。
晶圆是生产集成电路所用的载体。
晶圆(英语:Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,是生产集成电路(integrated circuit,IC)所用的载体。而我们现实中比较常见到的硅晶片就要数电脑CPU和手机芯片。
在半导体行业,尤其是集成电路领域,晶圆的身影随处可见。晶圆就是一块薄薄的、圆形的高纯硅晶片,而在这种高纯硅晶片上可以加工制作出各种电路元件构,使之成为有特定电性功能的IC产品。
晶圆制造工艺:
表面清洗:晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
初次氧化:由热氧化法生成SiO2缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术。
热CVD:此方法生产性高,梯状敷层性佳(不管多凹凸不平,深孔中的表面亦产生反应,及气体可到达表面而附着薄膜)等,故用途极广。
以上内容参考:百度百科-晶圆
晶圆是电路制作所用的硅晶片。由于其形状为圆形,故称为晶圆,在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品,半导体集成电路最主要的原料是硅,因此对应的就是硅晶圆。
晶圆的工艺
初次氧化,由热氧化法生成SiO2缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术,热CVD,此方法生产性高,梯状敷层性佳(不管多凹凸不平,深孔中的表面亦产生反应,及气体可到达表面而附着薄膜)等,故用途极广。
硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中,硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤,硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型,制造工艺,表面清洗,晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
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