台积电开启晶圆代工时代，成为集成电路中最为重要的一个环节。 1987 年，台积电的成立开启了 晶圆代工时代，尤其在得到了英特尔的认证以后，晶圆代工被更多的半导体厂商所接受。晶圆代工 打破了 IDM 单一模式，成就了晶圆代工+IC 设计模式。目前，半导体行业垂直分工成为了主流， 新进入者大多数拥抱 fabless 模式，部分 IDM 厂商也在逐渐走向 fabless 或者 fablite 模式。
全球晶圆代工市场一直呈现快速增长，未来有望持续 。晶圆代工+IC 设计成为行业趋势以后，受益 互联网、移动互联网时代产品的强劲需求，整个行业一直保持快速增长，以台积电为例，其营业收 入从 1991 年的 1.7 亿美元增长到 2019 年的 346 亿美元，1991-2019 年，CAGR 为 21%。2019 年全球晶圆代工市场达到了 627 亿美元，占全球半导体市场约 15%。未来进入物联网时代，在 5G、 人工智能、大数据强劲需求下，晶圆代工行业有望保持持续快速增长。
晶圆代工行业现状：行业呈现寡头集中。 晶圆代工是制造业的颠覆，呈现资金壁垒高、技术难度大、 技术迭代快等特点，也因此导致了行业呈现寡头集中，其中台积电是晶圆代工行业绝对的领导者， 营收占比超过 50%，CR5 约为 90%。
晶圆代工行业资金壁垒高。 晶圆代工厂的资本性支出巨大，并且随着制程的提升，代工厂的资本支 出中枢不断提升。台积电资本支出从 11 年的 443 亿元增长到 19 年的 1094 亿元，CAGR 为 12%。 中芯国际资本性支出从 11 年的 30 亿元增长到了 19 年的 131 亿元，CAGR 为 20%，并且随着 14 nm 及 N+1 制程的推进，公司将显著增加 2020 年资本性支出，计划为 455 亿元。巨额投资将众多 追赶者挡在门外，新进入者难度极大。
随着制程提升，晶圆代工难度显著提升。 随着代工制程的提升，晶体管工艺、光刻、沉积、刻蚀、 检测、封装等技术需要全面创新，以此来支撑芯片性能天花板获得突破。
晶体管工艺持续创新。 传统的晶体管工艺为 bulk Si，也称为体硅平面结构（Planar FET）。 随着 MOS 管的尺寸不断的变小，即沟道的不断变小，会出现各种问题，如栅极漏电、泄漏功 率大等诸多问题，原先的结构开始力不从心，因此改进型的 SOI MOS 出现，与传统 MOS 结 构主要区别在于：SOI 器件具有掩埋氧化层，通常为 SiO2，其将基体与衬底隔离。由于氧化 层的存在，消除了远离栅极的泄漏路径，这可以降低功耗。随着制程持续提升，常规的二氧 化硅氧化层厚度变得极薄，例如在 65nm 工艺的晶体管中的二氧化硅层已经缩小仅有 5 个氧 原子的厚度了。二氧化硅层很难再进一步缩小了，否则产生的漏电流会让晶体管无法正常工 作。因此在 28nm 工艺中，高介电常数（K）的介电材料被引入代替了二氧化硅氧化层（又称 HKMG 技术）。随着设备尺寸的缩小，在较低的技术节点，例如 22nm 的，短沟道效应开始 变得更明显，降低了器件的性能。为了克服这个问题，FinFET 就此横空出世。FinFET 结构 结构提供了改进的电气控制的通道传导，能降低漏电流并克服一些短沟道效应。目前先进制 程都是采用 FinFET 结构。
制程提升，需要更精细的芯片，光刻机性能持续提升。 负责“雕刻”电路图案的核心制造设备是光刻机，它是芯片制造阶段最核心的设备之一，光刻机的精度决定了制程的精度。第四 代深紫外光刻机分为步进扫描投影光刻机和浸没式步进扫描投影光刻机，其中前者能实现最 小 130-65nm 工艺节点芯片的生产，后者能实现最小 45-22nm 工艺节点芯片的生产。通过多 次曝光刻蚀，浸没式步进扫描投影光刻机能实现 22/16/14/10nm 芯片制作。到了 7/5nm 工艺， DUV 光刻机已经较难实现生产，需要更为先进的 EUV 光刻机。EUV 生产难度极大，零部件 高达 10 万多个，全球仅 ASML 一家具备生产能力。目前 EUV 光刻机产量有限而且价格昂 贵，2019 年全年，ASML EUV 销量仅为 26 台，单台 EUV 售价高达 1.2 亿美元。
晶圆代工技术迭代快，利于头部代工厂。 芯片制程进入 90nm 节点以后，技术迭代变快，新的制程 几乎每两到三年就会出现。先进制程不但需要持续的研发投入，也需要持续的巨额资本性支出，而 且新投入的设备折旧很快，以台积电为例，新设备折旧年限为 5 年，5 年以后设备折旧完成，生产 成本会大幅度下降，头部厂商完成折旧以后会迅速降低代工价格，后进入者难以盈利。
2.1摩尔定律延续，技术难度与资本投入显著提升
追寻摩尔定律能让消费者享受更便宜的 算 力，晶圆代工是推动摩尔定律最重要的环节。 1965 年， 英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔提出，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目， 约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，这也是全球电子产品整体性能不断进化的核 心驱动力，以上定律就是著名的摩尔定律。换而言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔 18- 24 个月翻一倍以上。推动摩尔定律的核心内容是发展更先进的制程，而晶圆代工是其中最重要的 环节。
摩尔定律仍在延续。 市场上一直有关于摩尔定律失效的顾虑，但是随着 45nm、28nm、10nm 持续 的推出，摩尔定律仍然保持着延续。台积电在 2018 年推出 7nm 先进工艺，2020 年开始量产 5nm， 并持续推进 3nm 的研究，预计 2022 年量产 3nm 工艺。IMEC 更是规划到了 1nm 的节点。此外， 美国国防高级研究计划局进一步提出了先进封装、存算一体、软件定义硬件处理器三个未来发展研 究与发展方向，以此来超越摩尔定律。在现在的时间点上来看，摩尔定律仍然在维持，但进一步提 升推动摩尔定律难度会显著提升。
先进制程资本性投入进一步飙升 。根据 IBS 的统计，先进制程资本性支出会显著提升。以 5nm 节 点为例，其投资成本高达数百亿美金，是 14nm 的两倍，是 28nm 的四倍。为了建设 5nm 产线， 2020 年，台积电计划全年资本性将达到 150-160 亿美元。先进制程不仅需要巨额的建设成本，而 且也提高了设计企业的门槛，根据 IBS 的预测，3nm 设计成本将会高达 5-15 亿美元。
3nm 及以下制程需要采用全新的晶体管工艺。 FinFET 已经历 16nm/14nm 和 10nm/7nm 两个工艺 世代，随着深宽比不断拉高，FinFET 逼近物理极限，为了制造出密度更高的芯片，环绕式栅极晶 体管（GAAFET，Gate-All-Ground FET）成为新的技术选择。不同于 FinFET，GAAFET 的沟道被 栅极四面包围，沟道电流比三面包裹的 FinFET 更加顺畅，能进一步改善对电流的控制，从而优化 栅极长度的微缩。三星、台积电、英特尔均引入 GAA 技术的研究，其中三星已经先一步将 GAA 用 于 3nm 芯片。如果制程到了 2nm 甚至 1nm 时，GAA 结构也许也会失效，需要更为先进的 2 维 、 甚至 3 维立体结构，目前微电子研究中心（Imec）正在开发面向 2nm 的 forksheet FET 结构。
3nm 及以下制程，光刻机也需要升级。 面向 3nm 及更先进的工艺，芯片制造商或将需要一种称为 高数值孔径 EUV（high-NA EUV）的光刻新技术。根据 ASML 年报，公司正在研发的下一代极紫 外光刻机将采用 high-NA 技术，有更高的数值孔径、分辨率和覆盖能力，较当前的 EUV 光刻机将 提高 70%。ASML 预测高数值孔径 EUV 将在 2022 年以后量产。
除上面提到巨额资本与技术难题以外，先进制程对沉积与刻蚀、检测、封装等环节也均有更高的要 求。正是因为面临巨大的资本和技术挑战，目前全球仅有台积电、三星、intel 在进一步追求摩尔定 律，中芯国际在持续追赶，而像联电、格罗方德等晶圆代工厂商已经放弃了 10nm 及以下制程工艺 的研发，全面转向特色工艺的研究与开发。先进制程的进一步推荐节奏将会放缓，为中芯国际追赶 创造了机会。
2.2先进制程占比持续提升，成熟工艺市场不断增长
高性能芯片需求旺盛，先进制程占比有望持续提升。 移动终端产品、高性能计算、 汽车 电子和通信 及物联网应用对算力的要求不断提升，要求更为先进的芯片，同时随着数据处理量的增加，存储芯 片的制程也在不断升级，先进制程的芯片占比有望持续提升。根据 ASML2018 年底的预测，到 2025 年，12 寸晶圆的先进制程占比有望达到 2/3。2019 年中，台积电 16nm 以上和以下制程分别占比 50%，根据公司预计，到 2020 年，16nm 及以下制程有望达到 55%。
CPU、逻辑 IC、存储器等一般采用先进制程（12 英寸），而功率分立器件、MEMS、模拟、CIS、 射频、电源芯片等产品（从 6μm 到 40nm 不等）则更多的采用成熟工艺（8 寸片）。 汽车 、移动 终端及可穿戴设备中超过 70%的芯片是在不大于 8 英寸的晶圆上制作完成。相比 12 寸晶圆产线，8 寸晶圆制造厂具备达到成本效益生产量要求较低的优势，因此 8 寸晶圆和 12 寸晶圆能够实现优 势互补、长期共存。
受益于物联网、 汽车 电子的快速发展，MCU、电源管理 IC、MOSFET、ToF、传感器 IC、射频芯 片等需求持续快速增长。 社会 已经从移动互联网时代进入了物联网时代，移动互联网时代联网设备 主要是以手机为主，联网设备数量级在 40 亿左右，物联网时代，设备联网数量将会成倍增加，高 通预计到 2020 年联网 设备数量有望达到 250 亿以上。飙升的物联网设备需要需要大量的成熟工艺 制程的芯片。以电源管理芯片为例，根据台积电年报数据，公司高压及电源管理晶片出货量从 2014 年的 1800 万片（8 寸）增长到 2019 年的 2900 万片，CAGR 为 10%。根据 IHS 的预测，成熟晶 圆代工市场规模有望从 2020 年的 372 亿美元增长到 2025 年的 415 亿美元。
特色工艺前景依旧广阔，主要代工厂积极布局特色工艺。 巨大的物联网市场前景，吸引了众多 IC 设计公司开发新产品。晶圆代工企业也瞄准了物联网的巨大商机，频频推出新技术，配合设计公司 更快、更好地推出新一代芯片，助力物联网产业高速发展。台积电和三星不仅在先进工艺方面领先布局，在特色工艺方面也深入布局，例如台积电在图像传感器领域、三星在存储芯片领域都深入布 局。联电、格罗方德、中芯国际、华虹半导体等代工厂也全面布局各自的特色工艺，在射频、 汽车 电子、IOT 等领域，形成了各自的特色。
5G 时代终端应用数据量爆炸式提升增加了对半导体芯片的需求，晶圆代工赛道持续繁荣。 随着对 于 5G 通信网络的建设不断推进，不仅带动数据量的爆炸式提升，要求芯片对数据的采集、处理、 存 储 效率更高，而且也催生了诸多 4G 时代难以实现的终端应用，如物联网、车联网等，增加了终 端对芯片的需求范围。对于芯片需求的增长将使得下游的晶圆代工赛道收益，未来市场前景极其广 阔。根据 IHS 预测，晶圆代工市场规模有望从 2020 年的 584 亿美元，增长到 2025 年的 857 亿美 元，CAGR 为 8%。
3.15G 推动手机芯片需求量上涨
5G 手机渗透率快速提升。手机已经进入存量时代，主要以换机为主。2019 年全球智能手机出货量 为 13.7 亿部，2020 年受疫情影响，IDC 等预测手机总体出货量为 12.5 亿台，后续随着疫情的恢 复以及 5G 产业链的成熟，5G 手机有望快速渗透并带动整个手机出货。根据 IDC 等机构预测，5G 手机出货量有望从 2020 年的 1.83 增长到 2024 年的 11.63 亿台，CAGR 为 59%。
5G 手机 SOC、存储和图像传感器全面升级，晶圆代工行业充分受益。 消费者对手机的要求越来越 高，需要更清晰的拍照功能、更好的 游戏 体验、多任务处理等等，因此手机 SOC 性能、存储性能、 图像传感器性能全面提升。目前旗舰机的芯片都已经达到了 7nm 制程，随着台积电下半年 5 nm 产 能的释放，手机 SOC 有望进入 5nm 时代。照片精度的提高，王者荣耀、吃鸡等大型手游和 VLOG 视频等内容的盛行，对手机闪存容量和速度也提出了更高的要求，LPDDR5 在 2020 年初已经正式 亮相小米 10 系列和三星 S20 系列，相较于上一代的 LPDDR4，新的 LPDDR5 标准将其 I/O 速 度从 3200MT/s 提升到 6400MT/s，理论上每秒可以传输 51.2GB 的数据。相机创新是消费者更 换新机的主要动力之一，近些年来相机创新一直在快速迭代，一方面，多摄弥补了单一相机功能不 足的缺点，另一方面，主摄像素提升带给消费者更多的高清瞬间，这两个方向的创新对晶圆及代工 的需求都显著提升。5G 时代，手机芯片晶圆代工市场将会迎来量价齐升。
5G 手机信号频段增加，射频前端芯片市场有望持续快速增长。射频前端担任信号的收发工作，包 括低噪放大器、功率放大器、滤波器、双工器、开关等。相较于 4G 频段，5G 的频段增加了中高 频的 Sub-6 频段，以及未来的更高频的毫米波频段。根据 yole 预测，射频前端市场有望从 2018 年 的 149 亿美元，增长到 2023 年的 313 亿美元，CAGR 为 16%。
3.2云计算前景广阔，服务器有望迎来快速增长
2020 年是国内 5G 大规模落地元年，有望带来更多数据流量需求 。据中国信通院在 2019 年 12 月 份发布的报告，2020 年中国 5G 用户将从去年的 446 万增长到 1 亿人，到 2024 年我国 5G 用户 渗透率将达到 45%，人数将超过 7.7 亿人，全球将达到 12 亿人，5G 用户数的高增长带来流量的 更高增长。
5G 时代来临，云计算产业前景广阔。 进入 5G 时代，IoT 设备数量将快速增加，同时应用的在线 使用需求和访问流量将快速爆发，这将进一步推动云计算产业规模的增长。根据前瞻产业研究院的 报告，2018 年中国云计算产业规模达到了 963 亿元，到 2024 年有望增长到 4445 亿元，CAGR 为 29%，产业前景广阔。
边缘计算是云计算的重要补充，迎来新一轮发展高潮。 根据赛迪顾问的数据，2018 年全球边缘计 算市场规模达到 51.4 亿美元，同比增长率 57.7%，预计未来年均复合增长率将超过 50%。而中国 边缘计算市场规模在 2018 年达到了 77.4 亿元，并且 2018-2021 将保持 61%的年复合增长率，到 2021 年达到 325.3 亿元。
服务器大成长周期确定性强。 服务器短期拐点已现，受益在线办公和在线教育需求旺盛，2020 年 服务器需求有望维持快速增长。长期来看，受益于 5G、云计算、边缘计算强劲需求，服务器销量 有望保持持续高增长。根据 IDC 预测，2024 年全球服务器销量有望达到 1938 万台，19-24 年， CAGR 为 13%。
服务器半导体需求持续有望迎来快速增长，晶圆代工充分受益。 随着服务器数量和性能的提升，服 务器逻辑芯片、存储芯片对晶圆的需求有望快速增长，根据 Sumco 的预测，服务器对 12 寸晶圆 需求有望从 2019 年的 80 万片/月，增长到 2024 年的 158 万片/月，19-24 年 CAGR 为 8%。晶圆 代工市场有望充分受益服务器芯片量价齐升。
3.3三大趋势推动 汽车 半导体价值量提升
传统内燃机主要价值量主要集中在其动力系统。 而随着人们对于 汽车 出行便捷性、信息化的要求逐 渐提高， 汽车 逐步走向电动化、智能化、网联化，这将促使微处理器、存储器、功率器件、传感器、 车载摄像头、雷达等更为广泛的用于 汽车 发动机控制、底盘控制、电池控制、车身控制、导航及车 载 娱乐 系统中， 汽车 半导体产品的用量显著增加。
车用半导体有望迎来加速增长。 根据 IHS 的报告，车用半导体销售额 2019 年为 410 亿美元，13- 19 年 CAGR 为 8%。随着 汽车 加速电动化、智能化、网联化，车用芯片市场规模有望迎来加速， 根据 Gartner 的数据，全球 汽车 半导体市场 2019 年销售规模达 410.13 亿美元，预计 2022 年有望 达到 651 亿美元，占全球半导体市场规模的比例有望达到 12%，并成为半导体下游应用领域中增 速最快的部分。
自动驾驶芯片要求高，有望进一步拉动先进制程需求。 自动驾驶是通过雷达、摄像头等将采集车辆 周边的信息，然后通过自动驾驶芯片处理数据并给出反馈，以此降低交通事故的发生率、提高城市 中的运载效率并降低驾驶员的驾驶强度。自动驾驶要求多传感器之间能够及时、高效地传递信息， 并同时完成路线规划和决策，因此需要完成大量的数据运算和处理工作。随着自动驾驶级别的上升， 对于芯片算力的要求也越高，产生的半导体需求和价值量也随之水涨船高。英伟达自动驾驶芯片随 着自动驾驶级别的提升，芯片制程也显著提升，最早 Drive PX 采用的是 20nm 工艺，而最新 2019 年发布的 Drive AGX Orin 将会采用三星 8nm 工艺。根据英飞凌的预测，自动驾驶给 汽车 所需要的 半导体价值带来相当可观的增量，一辆车如果实现 Level2 自动驾驶，半导体价值增量就将达到 160 美元，若自动驾驶级别达到 level4&5，增量将会达到 970 美元。
3.4IoT 快速增长，芯片类型多
随着行业标准完善、技术不断进步、政策的扶持，全球物联网市场有望迎来爆发性增长。GSMA 预 测，中国 IOT 设备联网数将会从 2019 年的 36 亿台， 增到 到 2025 年的 80 亿台，19-25 年 CAGR 为 17.3%。根据全球第二大市场研究机构 MarketsandMarkets 的报告，2018 年全球 IoT 市场规模 为 795 亿美元，预计到 2023 年将增长到 2196 亿美元，18-23 年 CAGR 为 22.5%。
物联网的发展需要大量芯片支撑，半导体市场规模有望迎来进一步增长 。物联网感知层的核心部件 是传感器系统，产品需要从现实世界中采集图像、温度、声音等多种信息，以实现对于所处场景的 智能分析。感知需要向设备中植入大量的 MEMS 芯片，例如麦克风、陀螺仪、加速度计等；设备 互通互联需要大量的通信芯片，包括蓝牙、WIFI、蜂窝网等；物联网时代终端数量和数据传输通道 数量大幅增加，安全性成为最重要的需求之一，为了避免产品受到恶意攻击，需要各种类型的安全 芯片作支持；同时，身份识别能够保障信息不被盗用，催生了对于虹膜识别和指纹识别芯片的需求； 作为物联网终端的总控制点，MCU 芯片更是至关重要，根据 IC Insights 的预测，2018 年 MCU 市 场规模增长 11%，预计未来四年内 CAGR 达 7.2%，到 2022 年将超过 240 亿美元。
4.1 国内 IC 设计企业快速增长，代工需求进一步放量
国内集成电路需求旺盛，有望持续维持快速增长。 国内集成电路市场需求旺盛，从 2013 年的 820 亿美元快速增长到 2018 年的 1550 亿美元，CAGR 为 13.6%，IC insight 预测，到 2023 年，中国 集成电路市场需求有望达到 2290 亿美元，CAGR 为 8%。但是同时，国内集成电路自给率也严重 不足，2018 年仅为 15%，IC insight 在 2019 年预测，到 2023 年，国内集成电路自给率为 20%。
需求驱动，国内 IC 设计快速成长。 在市场巨大的需求驱动下，国内 IC 设计企业数量快速增加，尤 其近几年，在国内政策的鼓励下，以及中美贸易摩擦大的背景下，IC 设计企业数量加速增加，2019 年底，国内 IC 设计企业数量已经达到了 1780 家，2010-2019 年，CAGR 为 13%。根据中芯国际 的数据，国内 IC 设计公司营收 2020 年有望达到 480 亿美元，2011-2020 年 CAGR 为 24%，远 高于同期国际 4%的复合增长率。
国内已逐步形成头部 IC 设计企业。 根据中国半导体行业协会的统计，2019 年营收前十的入围门槛 从 30 亿元大幅上升到 48 亿元，这十大企业的增速也同样十分惊人，达到 47%。国内 IC 企业逐步 做大做强，部分领域已经形成了一些头部企业：手机 SoC 芯片领域有华为海思、中兴微电子深度 布局；图像传感领域韦尔豪威大放异彩；汇顶 科技 于 2019 年引爆了光学屏下指纹市场；卓胜微、 澜起 科技 分别在射频开关和内存接口领域取得全球领先。IC 设计企业快速成长有望保持对晶圆代 工的强劲需求。
晶圆代工自给率不足。 中国是全球最大的半导体需求市场，根据中芯国际的预测，2020 年中国对 半导体产品的需求为 2130 亿美元，占全球总市场份额为 49%，但是与之相比的是晶圆代工市场份 额严重不足，根据拓墣研究的数据，2020Q2，中芯国际和华虹半导体份额加起来才 6%，晶圆代 工自给率严重不足，尤其考虑到中国 IC 设计企业数量快速增长，未来的需求有望持续增长，而且， 美国对华为等企业的禁令，更是让我们意识到了提升本土晶圆代工技术和产能的重要性。
4.2政策与融资支持，中国晶圆代工企业迎来良机（略）
晶圆代工需求不断增长，但国内自给严重不足，受益需求与国内政策双重驱动，国内晶圆代工迎来 良机。建议关注：国内晶圆代工龙头，突破先进制程瓶颈的中芯国际-U、特色化晶 圆代工与功率半导体 IDM 双翼发展的华润微华润微、坚持特色工艺，盈利能力强的华虹半导体华虹半导体。
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（报告观点属于原作者，仅供参考。作者：东方证券，蒯剑、马天翼）
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文 | 特约作者张小星
编辑 | 浅夏
来源 | 新10亿商业参考
（ID：xsy-shangyecankao）
三年前，武汉弘芯成立，扬言投资1280亿研发芯片，欲比肩台积电，掀起一场轰轰烈烈的造"芯"运动；
三年后，烧完153亿元，武汉弘芯工程停滞，几近烂尾，分包商、工人被欠款后，投诉无门。
其幕后大股东从业经历与半导体无半点关系，竟撬动了千亿半导体项目，获得武汉政府垫资。
国内芯片产业似乎进入大跃进阶段，"弘芯"事件并非个例。成都格芯、南京德科码、贵州华芯通、山西坤同半导体……不少半导体项目烧了巨款后，归于沉寂。
半导体是个回报周期长，资金需求量巨大的产业，只能稳中求进。"弘芯"过后，国内造"芯"事业，再次迷航。
01
千亿项目"弘芯"停摆
中美博弈风口浪尖上，芯片国产化成了当务之急。芯片风口下，国内芯片投机分子蠢蠢欲动，借机挥下镰刀。
近段时间，投资额高达1280亿元的武汉重点项目武汉弘芯曝出"烂尾"，事件引发 社会 高度关注。
2017年11月，武汉弘芯出世。据介绍，该项目聚集了全球的半导体晶圆研发制造专家，拥有先进的逻辑工艺和晶圆级先进封装技术经验，未来预计建成14纳米和7纳米两条逻辑工艺生产线，月产量均达到每月3万片，且员工人数至少达到1000人规模。
要知道，现在能够实现7纳米芯片量产的企业只有台积电与三星， 武汉弘芯一上来就直接把自己定位在了全球第三的位置。
除此之外， 弘芯还请来了台积电创始人张忠谋的左膀右臂、台积电"二号人物"蒋尚义出任CEO。
在台积电多年任职期间，蒋尚义曾将研发团队从400人扩编至7600人，打造出世界级研发团队，引领台积电从技术追随者为技术领导者，是名副其实的"行业大牛"。
恰恰由于蒋尚义坐镇，不少台积电人才转向大陆。去年以来，大陆从台积电挖走100多名经验丰富的工程师和管理人员，其中有一半去了武汉。
有国内媒体曾援引《日经亚洲评论》报道称， 弘芯提供的工资待遇超出想象，是台积电薪酬和奖励总金额的2~2.5倍 。
这一度让台积电十分紧张。
蒋尚义加持下，弘芯又购入了价值6亿元的EUV（极紫外线）光刻机，这个光刻机仅荷兰ASML才可以生产，台积电和三星的光刻机也都来自ASML。
EUV光刻机稀有昂贵，有消息表明中国仅购买了2台，武汉弘芯就成功拿下1台，这让它一时间晋为芯片界明星项目。
在2019年底ASML光刻机进厂仪式上，背景板上写着"弘芯报国，梦圆中华"。
2018年、2019年，武汉弘芯连续入选湖北省级重点建设项目，风光无限。
2020年4月武汉市发改委发布的《武汉市2020年市级重大在建项目计划》中，武汉弘芯半导体项目仍然以1280亿元的总投资额位列第一， 截至2019年底已完成投资153亿元，2020年计划投资87亿元。
但就在大家抱以无比期待的2年等待后，等来的却是弘芯的爆雷。
今年6月，媒体传出蒋尚义萌生退意，他对外回应的是"公司是有些问题待解决"。
紧接着，7月30日，一份来自武汉市区政府网站意外披露的消息，将武汉弘芯推至风口浪尖，网站中关于投资建设的报告显示， 武汉弘芯项目"存在较大资金缺口，随时面临资金链断裂大致项目停滞风险"。
该报告还指出，弘芯二期用地一直未完成土地调规和出让，项目缺少土地等材料，不能上报给国家发改委窗口指导，导致其他股权基金无法导入。
资金捉襟见肘，欠款丑闻甚嚣尘上。
武汉弘芯拖欠总包商武汉火炬建设集团有限公司数亿工程款，还拖欠了分包商武汉环宇基础建设公司4100万工程款。
被二者诉至法庭后，弘芯公司账户因此冻结，二期价值7530万元的土地使用权被法院裁定查封三年。官司还在进行中。
针对此事，武汉弘芯去年11月公开声明，公司按期足额支付总承包商火炬集团工程款，而火炬集团与武汉环宇间属于内部结算纠纷。
至此，拖欠分包商工程款、工人工资，款项至今没有着落，武汉弘芯几近停摆，千亿项目灰飞烟灭。
其实，在爆雷之前，弘芯已有迹象，这直接体现在员工招聘和收入上。
去年起，网上百度贴吧和知乎上很多准员工称收到offer后，公司迟迟没有通知入职，现有员工公积金缴纳比例也从12%降至8%。
另外，有记者发现武汉弘芯"作假"，其购买并不是光刻机EUV，而是DUV（深紫外光）光刻机。
如今，这台光刻机在"全新尚未启用"的情况下，就以5.8亿抵押给了银行等着落灰。
而弘芯现有员工因为无法投入生产，只能每天坐在办公室写写PPT。
02
弘芯背后神秘丽影
回顾三年前武汉弘芯诞生之际，扬言要在国际芯片市场上弯道超车，凭借起步7nm工艺技术，一举比肩台积电。眼前的弘芯壮志未酬，身先死。
弘芯幕后人物一直像影子般存在。天眼查显示，武汉弘芯注册资本20亿元，目前实缴资本为2亿元。
这2亿元全部来自于持股10%的股东之一武汉临空港，武汉临空港的钱是武汉东西湖区国有资产监督管理局出的，也即国有资本。
而 持股90%、需提供18亿元的大股东北京光量蓝图 科技 有限公司实缴资本却为0。
20亿注册资本一分没出，空手套白狼。在此之下，政府资金一旦烧完，资金链立刻崩溃。
北京光量蓝图非常神秘，公司成立于2017年11月2日，早于武汉弘芯半个月。公司成立之初，龙伟、曹山均是分别任董事长和董事，在2019年1月两人从武汉弘芯董事名单中退出，之后李雪艳出任董事长、莫森进入董事。
据了解，曹山本身从事半导体行业，担任6家半导体公司法人、执行董事职务，布局半导体行业两年多时间。由此看出，光量蓝图一开始具备从事半导体能力。
然而，当曹山退出后，光量蓝图成了名副其实的空壳公司。李雪艳原先投资生态 科技 、买烧酒、办餐饮、盖园林，从业背景与半导体无半点联系，创办武汉弘芯前半个月创立了光量蓝图，项目至今未投入任何资金，一直在烧政府的钱。
而莫森则未查到任何与半导体有关的从业背景。
两个从未接触过半导体的人，竟然做了一千多亿的半导体项目，令人匪夷所思。
剥开迷雾，结合前文层层梳理，也即 李雪艳等人成立了空壳公司光量蓝图，再通过空壳公司拿到成都政府重点项目武汉弘芯，弘芯又通过总包商"武汉火炬建设"将债务和风险转移给了待贷款银行、分包商和供应商。
如此一来，他们不投资便获得一大笔收益。
去年7月和11月，光量蓝图因未及时公布年报和登记经营场所无法联系，被列入经营异常名录企业。
再看武汉弘芯，即便该公司股权结构清晰，细究之后也是疑窦重重 。两位离开的关键人物中，曹山从业背景已介绍过，而龙伟实则是庆安贸易总经理、法人。
庆安贸易曾投资过成都海威华芯 科技 有限公司，早就开始布局芯片产业，武汉弘芯是其第二次投资人芯片项目。
公司在龙伟之前的投资人为刘亚苏，关于此人的相关新闻中常见军方背景，再加上庆安贸易名字与军工企业庆安集团高度关联，可见庆安贸易并不简单。
有媒体在文章中也用了 "传闻称弘芯背后大股东资金来源或具有军方背景" 的话加以描述，武汉弘芯并未给予过回应，更显其神秘性。
"烂尾"消息曝出，被寄予厚望的民族企业瞬间成了骗局，政府、承包商、供应商、工程师、员工惨遭重击。让人唏嘘不已。
03
国内半导体"大跃进"
中国的芯片设计企业数量世界第一，实际设计水平也达到世界第二名。但制造是短板，很多材料全部依赖进口。
2019年，中国芯片进口额高达3040亿美元，远超排名第二的原油进口额。
经历过华为、中兴事件后，中国未来加大芯片领域投入，除了相关免税政策外，还牵头创办实验室，很多大基金趋之若鹜。
中科院表示，美国"卡脖子"清单变成科研任务，将进行全面布局。在此背景下，若中国芯片能崛起，可谓是"涅槃重生"。
但资本家们纷至沓来，引起的却是大量企业在全国各地画大饼、投资圈钱圈地，地方政府忽视项目真实情况，虚假项目大行其道，爆雷事件接踵而至。
记者采访了行业观察者张昊（匿名），其表示"一个未来存在很大机会的行业，肯定会引来很多人投资发展"。
近两年，类似武汉弘芯爆雷事件的还有：
另据《瞭望》报道，在短短一年多时间里，分布于我国江苏、四川、湖北、贵州、陕西等 5 省的 6 个百亿级半导体大项目先后停摆。“芯骗”坑国的武汉弘芯们还在继续……
国内造"芯"事业屡屡遇阻，张昊表示，"其实多年前也有过很多类似的失败案例，只是近期发生的事件频频被爆出，才感觉很多。"
针对这些被看做"骗局"的半导体项目，"一些项目一开始想得过于远大，中途发现做芯片难度太大，自身研发能力不足，最后做不下去了。"从而演变成骗局。
半导体及其耗资且回报周期长，需要一代人二三十年沉下心做研究，国内第一芯片代工厂中芯国际，苦熬20年才实现14nm工艺产量，新生代企业挑战7nm工艺，谈何容易；中科院换道 探索 20年研发出碳基芯片也绝非一蹴而就。
反观国内投资，多数追求短期回报，一些项目借此大肆圈钱。
还有一种情况，"项目方根本没有做好准备，想利用政府资源整合，获得融资发展机会，到最后发现做不下去了。"还有一种可能， "或许从最初就是一场骗局。 "
数据显示，中国在2019年仅本土生产了其国内使用所需半导体的16％，可见，距离实现半导体行业的自给自足和全球领导地位的目标还很遥远。
动辄以十年计算回报周期的芯片行业，单靠政府土地优惠政策远远不够，企业在没有盈利前，"活下去"才是战略重点。
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