光刻机灰化

现有的半导体制造工艺中常需要采用掺杂工艺，掺杂时通常需要先在待掺杂的衬底表面上形成光刻胶图形，覆盖不需要掺杂的区域，然后对从光刻胶图形中露出的区域进行掺杂。在掺杂之后，才能采用灰化工艺(ashing)，将光刻胶图形灰化，以便于后续工艺步骤的进行。但是，现有技术中的灰化工艺在灰化光刻胶图形时容易对衬底造成一定程度的影响，例如导致衬底表面产生凹陷。

离子注入后退火：加热注入硅片，修复晶格损伤，使杂质原子移动到晶格点，将其激活。

高温退火和快速热处理相比，快速热处理更优越。

因为快速热处理可以避免长时间的高温导致杂质扩散，以及减小瞬间增强扩散。

半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。

纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。

半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质（如Si中的B、P、As）；第二类是产生复合中心的重金属杂质（如Si中的Au）。

扩展资料：

掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本征半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施体原子会在靠近导带的地方产生一个新的能阶，而受体原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅，则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特，远小于硅本身的能隙1.12电子伏特，所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化。

掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说，一个p-n结的能带会弯折，起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同，但是形成p-n结后其费米能阶必须保持在同样的高度，造成无论是p型或是n型半导体的导带或价带都会被弯曲以配合界面处的能带差异。

参考资料来源：百度百科——半导体掺杂技术

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