压阻效应的定义是什么？

压阻效应（piezoresistive effect），物理现场，是指当半导体受到应力作用时，由于应力引起能带的变化，能谷的能量移动，使其电阻率发生变化的现象。

它是C.S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现的。半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门

单晶硅时要被选择作为在模拟-数字电路，设计所用的材料中的一种1954由CS史密斯硅和锗的多次发现大的压阻效应。从那时起，它已被广泛用作压力传感器和应变传感器。

半导体中的压阻效应

半导体的压阻效应可能比几何效应大几个数量级，并且在诸如锗，多晶硅，非晶硅，碳化硅和单晶硅等材料中发现。这使得可以制造具有非常高灵敏度的半导体应变仪。

在精确测量中，半导体应变仪通常比金属应变仪对环境条件（尤其是温度）更敏感，并且难以 *** 作。

以上内容参考：压阻效应 - 百度百科

压阻效应是指当半导体受到应力作用时，由于应力引起能带的变化，能谷的能量移动，使其电阻率发生变化的现象。

它是C.S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现的。半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门。

它有以下优点：

1、灵敏度与精度高。

2、易于小型化和集成化。

3、结构简单、工作可靠，在几十万次疲劳试验后，性能保持不变。

4、动态特性好，其响应频率为103～105Hz。

所谓压阻效应，是指当半导体受到应力作用时，由于载流子迁移率的变化，使其电阻率发生变化的现象。它是c.s史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现的。压阻效应的强弱可以用压阻系数π来表征。压阻系数π被定义为单位应力作用下电阻率的相对变化。压阻效应有各向异性特征，沿不同的方向施加应力和沿不同方向通过电流，其电阻率变化会不相同。譬如：在室温下测定n型硅时，沿（100）方向加应力，并沿此方向通电流的压阻系数π11=102.2×10-11m2/n；而沿（100）方向施加应力，再沿（010）方向通电流时，其压阻系数π12=53.7×10-11m2/n。此外，不同半导体材料的压阻系数也不同，如在与上述n型硅相同条件下测出n型锗的压阻系数分别为π11=5.2×10-11m2/n；π12=5.5×10-11m2/n。

压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器，把力学量转换成电信号。例如：压阻加速度传感器是在其内腔的硅梁根部集成压阻桥（其布置与电桥相似），压阻桥的一端固定在传感器基座上，另一端挂悬着质量块。当传感器装在被测物体上随之运动时，传感器具有与被测件相同的加速度，质量块按牛顿定律（第二定律）产生力作用于硅梁上，形成应力，使电阻桥受应力作用而引起其电阻值变化。把输入与输出导线引出传感器，可得到相应的电压输出值。该电压输出值表征了物体的加速度。

半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门。

它有以下优点：

①灵敏度与精度高；

②易于小型化和集成化；

③结构简单、工作可靠，在几十万次疲劳试验后，性能保持不变；

④动态特性好，其响应频率为103～105hz。

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