中国的半导体技术发展水平如何?

只能说起步阶段吧，目前只是在有限的几个领域里有所建树，但即便是这些领域也是仿照国外产品，原创的太少。从产业结构来看，目前在半导体领域的前沿研发基本都被欧美和日韩的企业以及院校所包揽。大陆的现状基本是有着大量的中小型设计公司，具有满足绝大多数普通应用场景的设计能力。但是在尖端技术上还是无法在国际上竞争，本国内高端产品基本依赖进口。

大陆半导体技术的发展前景和不足

1底层制造中国有很大的发展空间。

半导体技术的底层制造业（也常叫「微电子制造加工业」）是个纯粹的制造业。中国大陆近年来的代工制造一直处于上升阶段，很多传统领域的代工技术已然世界领先，下一步在微电子制造业上也达到尖端是可以期待的，业界也普遍看好。这是劳动力资源的优势所决定的。曾经日本、韩国、新加坡等地该行业很兴旺，但现在普遍因为劳动力资源的紧缺和涨价而大幅衰弱，台湾也略有衰退之胜，中国大陆正在快速上升期。

2欣欣向荣的是封装测试领域。

大陆各种大型的封装测试工厂遍地开花，有外资的也有民营的。由于封测产业对于技术要求相对较低，但是对于成本控制相当敏感，所以在劳动力相对低廉的大陆获得了较大的发展。

3中国由于财力和技术积累的不足，在规模最大、利润最高的几块市场，比如CPU，FPGA或者存储器上，大陆基本还处于弱势地位。

4高端设备和原材料的供应商极缺，所有重要设备和材料几乎完全进口。

1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年，我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年，我国功率半导体分立器件产量4885亿，较2019年增长8%。2020年，我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点，MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一，占2019年市场规模的36.3%，其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单，工作可靠。基于产品本身的特点和优势，功率分立器件市场中，MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展，MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元，年复合增长率约为9.2%。

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