直接帯隙和间接帯隙半导体辐射光子和本征吸收的能力孰强?为什么?

直接带隙半导体当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变（光子的动量很小，可以忽略）——满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合）时，也可以保持动量不变——直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子）——发光效率高（辐射光子）间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量（需要吸收或发射一个声子），根据单电子理论，可知道其吸收系数没有本征的陡峻、剧烈。希望采纳！

一般情况下，直接带隙半导体可直接吸收能量合适的光子。间接带隙半导体，因为电子跃迁时需要动量守恒，因此吸收光的时候需要吸收或发射声子辅助。这种情况下，间接带隙半导体对光的吸收取决于初始能级的电子密度，终止能级的电子密度以及可利用的声子数量。因此一般情况下间接带隙半导体对光的吸收系数小于直接带隙。吸收同样的光子数量需要更厚的厚度。

物质吸收光其实就是将光子能量吸收了。可见光的光子能量范围为1.8~3.1eV，半导体和绝缘体能吸收哪些光取决于其带隙（Eg），带隙值大于3.1eV的物质不吸收光，呈无色透明；若只吸收1.8~3.1eV范围内的一部分，那么该物质就会呈现颜色。金属不存在带隙，对光的吸收与半导体和绝缘体的情况有区别，具体怎样的我就不知道了。（参考上海交通大学《材料科学基础》（第三版）10.5.6和10.5.8）

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